典型性能曲线
1200V
APT25GN120B_S(G)
APT25GN120B
APT25GN120S
APT25GN120BG * APT25GN120SG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
C
G
E
(S)
G
C
E
1200V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
易于并联
集成门极电阻：低EMI ，高可靠性
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GN120B(G)
单位
伏
1200
±30
67
33
75
75A @ 1200V
272
-55到150
300
安培
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 150A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5
1.4
5.8
1.7
1.9
100
2
6.5
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 125°C)
2.1
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
A
nA
Ω
9-2009
050-7600
REV ê
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
集成门极电阻
待定
600
8
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT25GN120B_S(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3Ω
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
4
5
民
典型值
最大
单位
1800
105
85
9.5
155
10
85
75
22
17
280
135
待定
1490
2150
22
17
335
225
待定
2390
3075
m
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller" ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
R
G
= 1.0Ω
7
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
44
6
m
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
R
G
= 1.0Ω
7
55
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
66
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.46
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
9-2009
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-7600
REV ê
典型性能曲线
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
10V
30
20
10
0
9V
8V
7V
0
5
10
15
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
APT25GN120B_S(G)
80
15V
70
15V
12V
11V
I
C
，集电极电流（ A）
60
12V
50
11V
40
30
20
10
0
10V
9V
8V
7V
0
5
10
15
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
75
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
栅极电荷（ NC）
I = 25A
C
中T = 25℃
J
I
C
，集电极电流（ A）
60
T
J
= 125°C
45
T
J
= 25°C
30
T
J
= -55°C
15
V
CE
= 240V
V
CE
= 600V
V
CE
= 960V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3
图4中，栅极电荷
I
C
= 50A
2.5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1.0
0.5
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
0
8
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
= 50A
2
I
C
= 25A
1.5
1
0.5
I
C
= 12.5A
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
-25
0
25
50
75 100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
90
0
-50
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
80
70
60
50
40
9-2009
050-7600
REV ê
30
20
10
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
1.05
1.00
0.95
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
0.90
-50
APT25GN120B_S(G)
30
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
25
20
15
10
5
中T = 25℃
或
125°C
J
0
R
G
= 4.3Ω
L = 100μH
V
CE
= 800V
350
300
250
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
200
150
100
50
0
V
CE
=
800V
R
G
=
4.3Ω
L = 100μH
15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
45
40
R
G
=
4.3Ω, L
=
100
H，V
CE
=
800V
10
10
20
30
40
50
60
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
300
250
R
G
=
4.3Ω, L
=
100
H，V
CE
=
800V
35
t
r,
上升时间（纳秒）
30
25
20
15
10
5
15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
7000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3Ω
G
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
t
f,
下降时间（纳秒）
200
150
100
50
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
0
10
10 15 20 25 30 35 40
45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
7000
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
6000
5000
4000
3000
2000
T
J
=
25°C
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3Ω
G
0
T
J
=
125°C
T
J
=
125°C
T
J
=
25°C
1000
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
14000
开关损耗（ μJ ）
12000
10000
E
关，
50A
8000
6000
4000
2000
0
E
关，
25A
E
on2,
25A
E
关，
12.5A
E
on2,
12.5A
0
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
7000
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3Ω
G
E
on2,
50A
开关损耗（ μJ ）
E
关，
50A
6000
5000
4000
E
on2,
50A
3000
E
关，
25A
2000
1000
0
E
关，
12.5A
E
on2,
12.5A
0
E
on2,
25A
REV ê
9-2009
050-7600
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
4,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
1,000
C，电容（ F）
P
80
70
60
50
40
30
20
10
APT25GN120B_S(G)
500
100
50
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0
0.50
D = 0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.20
0.3
0.10
0.1
0.05
0
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
140
F
最大
，工作频率（千赫）
100
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0536
动力
（瓦特）
0.169
外壳温度。 （ ° C）
0.353
0.00826
F
最大
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
= 800V
V
CE
R = 4.3Ω
G
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
10
图19B ，瞬态热阻抗模型
15 20 25
30 35 40 45
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
5
10
050-7600
REV ê
9-2009
典型性能曲线
1200V
APT25GN120B_S(G)
APT25GN120B
APT25GN120S
APT25GN120BG * APT25GN120SG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
C
G
E
(S)
G
C
E
沟槽栅：低V
CE （ON）的
易于并联
集成门极电阻：低EMI ，高可靠性
1200V场截止
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GN120B(G)
单位
伏
1200
±30
67
33
75
75A @ 1200V
272
-55到150
300
安培
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 150A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5
1.4
2
2
5.8
1.7
1.9
6.5
2.1
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
100
待定
600
8
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
集成门极电阻
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7600
修订版D
11-2005
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT25GN120B_S(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 600V
I
C
= 150A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
1800
105
85
9.5
155
10
85
75
22
17
280
135
待定
1490
2150
22
17
335
225
待定
2390
3075
m
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
R
G
= 1.0
7
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
m
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 1.0
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.46
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
11-2005
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7600
修订版D
典型性能曲线
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
APT25GN120B_S(G)
15V
15V
12V
11V
60
50
40
30
20
10
0
12V
11V
10V
9V
8V
7V
10V
9V
8V
7V
75
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
0
5
10
15
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
16
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 25A
C
中T = 25℃
J
0
5
10
15
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
I
C
，集电极电流（ A）
60
V
CE
= 240V
V
CE
= 600V
V
CE
= 960V
T
J
= 125°C
45
T
J
= 25°C
30
8
6
4
2
0
T
J
= -55°C
15
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1.0
0.5
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
= 50A
2.5
2
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 25A
1.5
1
0.5
I
C
= 12.5A
I
C
= 12.5A
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
0
8
-25
0
25
50
75 100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
90
0
-50
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
80
70
60
50
40
11-2005
050-7600
修订版D
30
20
10
1.05
1.00
0.95
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
30
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
25
20
15
10
5
中T = 25℃
或
125°C
J
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
V
CE
= 800V
R
G
= 4.3
L = 100μH
350
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
=
800V
R
G
=
4.3
L = 100μH
V
GE
=15V,T
J
=25°C
APT25GN120B_S(G)
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
0
10
20
30
40
50
60
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
300
250
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
800V
45
40
35
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
800V
25
20
15
10
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
30
200
150
100
50
0
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
0
10 15 20 25 30 35 40
45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
7000
7000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
6000
5000
4000
3000
2000
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
T
J
=
125°C
T
J
=
125°C
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
1000
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
7000
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
0
14000
开关损耗（ μJ ）
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
开关损耗（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
E
on2,
50A
E
关，
50A
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
E
关，
50A
E
on2,
50A
E
关，
25A
E
on2,
25A
E
关，
12.5A
E
on2,
12.5A
11-2005
E
关，
25A
E
on2,
25A
E
关，
12.5A
E
on2,
12.5A
修订版D
050-7600
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
4,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
80
70
60
50
40
30
20
10
APT25GN120B_S(G)
C，电容（ F）
1,000
500
P
100
50
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.50
D = 0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.20
0.3
0.10
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
140
F
最大
，工作频率（千赫）
100
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0536
动力
（瓦特）
0.169
外壳温度。 （ ° C）
0.353
0.00826
50
F
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 4.3
G
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
15 20 25
30 35 40 45
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
5
10
050-7600
修订版D
11-2005
典型性能曲线
1200V
APT25GN120B_S(G)
APT25GN120B
APT25GN120S
APT25GN120BG * APT25GN120SG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
C
G
E
(S)
G
C
E
沟槽栅：低V
CE （ON）的
易于并联
集成门极电阻：低EMI ，高可靠性
1200V场截止
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GN120B(G)
单位
伏
1200
±30
67
33
75
75A @ 1200V
272
-55到150
300
安培
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 150A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5
1.4
2
2
5.8
1.7
1.9
6.5
2.1
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
100
待定
600
8
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
集成门极电阻
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7600
修订版D
11-2005
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT25GN120B_S(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 600V
I
C
= 150A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
1800
105
85
9.5
155
10
85
75
22
17
280
135
待定
1490
2150
22
17
335
225
待定
2390
3075
m
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
R
G
= 1.0
7
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
m
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 1.0
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.46
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
11-2005
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7600
修订版D
典型性能曲线
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
APT25GN120B_S(G)
15V
15V
12V
11V
60
50
40
30
20
10
0
12V
11V
10V
9V
8V
7V
10V
9V
8V
7V
75
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
0
5
10
15
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
16
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 25A
C
中T = 25℃
J
0
5
10
15
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
I
C
，集电极电流（ A）
60
V
CE
= 240V
V
CE
= 600V
V
CE
= 960V
T
J
= 125°C
45
T
J
= 25°C
30
8
6
4
2
0
T
J
= -55°C
15
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1.0
0.5
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
= 50A
2.5
2
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 25A
1.5
1
0.5
I
C
= 12.5A
I
C
= 12.5A
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
0
8
-25
0
25
50
75 100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
90
0
-50
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
80
70
60
50
40
11-2005
050-7600
修订版D
30
20
10
1.05
1.00
0.95
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
30
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
25
20
15
10
5
中T = 25℃
或
125°C
J
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
V
CE
= 800V
R
G
= 4.3
L = 100μH
350
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
=
800V
R
G
=
4.3
L = 100μH
V
GE
=15V,T
J
=25°C
APT25GN120B_S(G)
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
0
10
20
30
40
50
60
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
300
250
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
800V
45
40
35
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
800V
25
20
15
10
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
30
200
150
100
50
0
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
0
10 15 20 25 30 35 40
45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
7000
7000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
6000
5000
4000
3000
2000
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
T
J
=
125°C
T
J
=
125°C
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
1000
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
7000
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
0
14000
开关损耗（ μJ ）
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
开关损耗（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
E
on2,
50A
E
关，
50A
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
E
关，
50A
E
on2,
50A
E
关，
25A
E
on2,
25A
E
关，
12.5A
E
on2,
12.5A
11-2005
E
关，
25A
E
on2,
25A
E
关，
12.5A
E
on2,
12.5A
修订版D
050-7600
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
4,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
80
70
60
50
40
30
20
10
APT25GN120B_S(G)
C，电容（ F）
1,000
500
P
100
50
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.50
D = 0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.20
0.3
0.10
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
140
F
最大
，工作频率（千赫）
100
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0536
动力
（瓦特）
0.169
外壳温度。 （ ° C）
0.353
0.00826
50
F
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 4.3
G
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
15 20 25
30 35 40 45
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
5
10
050-7600
修订版D
11-2005
QQ：2881677436 复制
