APT23F60B
APT23F60S
600V, 24A, 0.29 Max, trr
≤220ns
N沟道FREDFET
功率MOS
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
这种“ FREDFET ”版本有一个漏极 - 源极（身体）二极管已优化
在ZVS阶段高可靠性，通过减少吨转向桥及其它电路
rr
软
回收，回收率高dv / dt能力。低栅电荷，高增益，和一个大大
的C比率降低
RSS
/C
国际空间站
使其具有很好的抗干扰性和低开关损耗。该
固有栅极电阻和多晶硅栅结构有助于控制的电容
di / dt的切换，从而导致低的EMI和可靠并联，即使在切换时
在非常高的频率。
8
TO
-2
47
D
3
PAK
APT23F60B
APT23F60S
D
单芯片FREDFET
G
S
特点
快速，低EMI转换
低反向恢复时间trr高可靠性
超低的Crss ，以提高抗噪声能力
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS标准
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
PFC等升压转换器
降压转换器
单和两个开关正激
反激式
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
24
14
80
±30
615
11
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.22
6.2
10
1.1
-55
0.11
150
300
民
典型值
最大
415
0.30
单位
W
° C / W
°C
oz
g
·在磅
N·m的
04-2009
050-8141
REV C
力矩
安装扭矩（ TO- 264封装） ， 4-40或M3螺丝
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 11A
APT23F60B_S
典型值
0.57
0.23
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
250
1000
±100
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
600
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
V
DS
= 600V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2.5
0.29
5
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 11A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
22
4415
45
405
215
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至400V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 11A,
V
DS
= 300V
电阻开关
V
DD
= 400V
,
I
D
= 11A
R
G
= 4.7
6
,
V
GG
= 15V
110
110
24
46
25
29
75
23
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
24
单位
G
S
A
80
1.0
220
400
0.73
1.79
7.3
10.2
20
V
ns
C
A
V / ns的
I
SD
= 11A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
= 11A
3
di
SD
/
DT = 100A / μs的
V
DD
= 100V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
≤
如图11A所示， di / dt的
≤1000A/s,
V
DD
= 400V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 10.17mH中，R
G
= 25, I
AS
= 11A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
版本C 04-2009
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -4.28E -8 / V
DS
^ 2 + 1.80E - 8 / V
DS
+ 6.71E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息所包含。
050-8141
80
70
V
GS
= 10V
35
T = 125°C
J
APT23F60B_S
T
J
= -55°C
30
V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
， DRIAN电流（A）
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
GS
= 7 &,10V
25
20
15
10
5
0
0
6V
6.5V
5.5V
5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
Figure 1, Output Characteristics
归一
V
GS
= 10V @ 11A
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 2, Output Characteristics
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
80
70
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
-55 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
Figure 3, R
DS （ ON）
VS结温
35
30
T
J
= -55°C
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
Figure 4, Transfer Characteristics
C
国际空间站
6,000
g
fs
，跨导
20
15
10
5
0
0
T
J
= 125°C
C，电容（pF ）
25
T
J
= 25°C
1000
100
C
OSS
C
RSS
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
Figure 5, Gain vs Drain Current
I
D
= 11A
5
25
10
100
200
300
400
500
600
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
0
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
80
I
SD ，
反向漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
0
0
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
V
DS
=
120V
V
DS
=
300V
V
DS
=
480V
050-8141
20
40 60
80 100 120 140 160
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
0
0
REV C
04-2009
APT23F60B_S
100
I
DM
100
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
10
RDS （ ON）
13s
100s
1ms
10ms
13s
1
RDS （ ON）
100s
1ms
10ms
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
100ms
DC线
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
100ms
DC线
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 9, Forward Safe Operating Area
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 10, Maximum Forward Safe Operating Area
1
0.35
0.30
D = 0.9
0.25
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.5
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
PDM
t1
t2
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-4
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
Figure 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance Junction-to-Case vs Pulse Duration
1.0
TO-247 (B) Package Outline
E3 100 ％锡镀
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
D
3
PAK封装外形
漏
（散热器）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
版本C 04-2009
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
050-8141
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
