600V 20A 0.220Ω
APT20N60BCF
APT20N60SCF
APT20N60BCFG * APT20N60SCFG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
OLMOS
O
功率半导体
超级结FREDFET
TO
-2
47
D
3
PAK
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
内在的快速恢复体二极管
极端低反向恢复电荷
适用于ZVS应用
热门TO- 247或表面贴装
3
包
G
S
D
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
单位
伏
600
20
13
60
±30
208
1.67
-55到150
260
80
20
7
4
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 20A ，T
J
= 125°C)
雪崩电流
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
1
690
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 13A)
0.220
2.1
1700
±100
3
4
5
欧
A
nA
伏
5-2005
050-7235修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gd
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
V
SD
dv
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 20A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 380V
I
D
= 20A @ 25°C
R
G
= 3.6
6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
2520
670
40
95
18
55
12
15
60
6.4
180
60
315
80
民
典型值
最大
Q
gs
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
di
dv
1
2
nC
t
r
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 20A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 20A ，R
G
= 5
6
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
20
60
1.2
40
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
180
I
SM
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -20A)
5
/
dt
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -20A, /
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -20A, /
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -20A, /
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
di
di
260
1.4
2.5
15
18
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.60
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.70
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.7
0.5
0.3
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 13.80mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
再FL ECT数字测试电路，而不是限制
设备本身。
IS
≤ -
ID
20A
di
/
dt
= 700A / μs的
VR
≤ 480V
TJ
≤
125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。看到科幻居雷什18 ， 20 。
7重复雪崩导致可calcu-额外的功率损耗
作为迟来
P
AV
= E
AR
*f
0.9
5-2005
注意：
PDM
050-7235修订版A
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
单脉冲
10
-4
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
60
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限于由R
（上）
DS
20,000
10,000
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
5
C，电容（pF ）
10
100S
C
国际空间站
1,000
C
OSS
100
1
T
C
=+25°C
T
J
=+150°C
单脉冲
1mS
10mS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
.1
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = 20A
D
10
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
200
100
T
J
=+150°C
T
J
=+25°C
12
V
DS
=120V
V
DS
=300V
8
V
DS
=480V
10
4
20 40 60 80 100 120 140 160
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
100
90
80
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
30
25
20
t
D（关闭）
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
70
60
50
40
30
20
10
0
V
R
G
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
DD
= 400V
t
f
15
10
V
DD
G
= 400V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
t
D（上）
5
0
0
5
10
图14 ，延迟时间 - 电流
600
500
V
DD
G
15
20
I
D
(A)
25
30
35
0
5
10
图15 ，上升和下降时间 - 电流
600
500
15
20
I
D
(A)
25
30
35
= 400V
R
= 5
开关能量（mJ ）
L = 100μH
开关能量（mJ ）
T = 125°C
J
400
300
200
100
0
E
二极管的反向恢复。
on
包括
E
on
400
E
关闭
E
on
300
200
100
0
V
= 400V
5-2005
DD
E
关闭
I = 20A
D
T = 125°C
L = 100μH
E
二极管的反向恢复。
on
J
050-7235修订版A
包括
15
20
25
30
35
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
5
10
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
典型性能曲线
栅极电压
10%
T
J
125°C
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
90%
栅极电压
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
5%
漏极电压
t
D（关闭）
t
f
漏极电压
90%
10%
0
开关能量
T
J
125°C
漏电流
开关能量
图18 ，导通开关波形和De科幻nitions
图19 ，关断开关波形和De科幻nitions
APT15DQ60
V
DD
ID
VDS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
E1国资委：锡，银，铜
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
E3 100 ％锡
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7235修订版A
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
5-2005
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
600V 20A 0.220Ω
APT20N60BCF
APT20N60SCF
APT20N60BCFG * APT20N60SCFG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
OLMOS
O
功率半导体
超级结FREDFET
TO
-2
47
D
3
PAK
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
内在的快速恢复体二极管
极端低反向恢复电荷
适用于ZVS应用
热门TO- 247或表面贴装
3
包
G
S
D
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
单位
伏
600
20
13
60
±30
208
1.67
-55到150
260
80
20
7
4
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 20A ，T
J
= 125°C)
雪崩电流
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
1
690
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 13A)
0.220
2.1
1700
±100
3
4
5
欧
A
nA
伏
5-2005
050-7235修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gd
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
V
SD
dv
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 20A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 380V
I
D
= 20A @ 25°C
R
G
= 3.6
6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
2520
670
40
95
18
55
12
15
60
6.4
180
60
315
80
民
典型值
最大
Q
gs
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
di
dv
1
2
nC
t
r
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 20A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 20A ，R
G
= 5
6
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
20
60
1.2
40
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
180
I
SM
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -20A)
5
/
dt
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -20A, /
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -20A, /
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -20A, /
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
di
di
260
1.4
2.5
15
18
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.60
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.70
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.7
0.5
0.3
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 13.80mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
再FL ECT数字测试电路，而不是限制
设备本身。
IS
≤ -
ID
20A
di
/
dt
= 700A / μs的
VR
≤ 480V
TJ
≤
125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。看到科幻居雷什18 ， 20 。
7重复雪崩导致可calcu-额外的功率损耗
作为迟来
P
AV
= E
AR
*f
0.9
5-2005
注意：
PDM
050-7235修订版A
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
单脉冲
10
-4
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
60
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限于由R
（上）
DS
20,000
10,000
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
5
C，电容（pF ）
10
100S
C
国际空间站
1,000
C
OSS
100
1
T
C
=+25°C
T
J
=+150°C
单脉冲
1mS
10mS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
.1
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = 20A
D
10
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
200
100
T
J
=+150°C
T
J
=+25°C
12
V
DS
=120V
V
DS
=300V
8
V
DS
=480V
10
4
20 40 60 80 100 120 140 160
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
100
90
80
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
30
25
20
t
D（关闭）
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
70
60
50
40
30
20
10
0
V
R
G
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
DD
= 400V
t
f
15
10
V
DD
G
= 400V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
t
D（上）
5
0
0
5
10
图14 ，延迟时间 - 电流
600
500
V
DD
G
15
20
I
D
(A)
25
30
35
0
5
10
图15 ，上升和下降时间 - 电流
600
500
15
20
I
D
(A)
25
30
35
= 400V
R
= 5
开关能量（mJ ）
L = 100μH
开关能量（mJ ）
T = 125°C
J
400
300
200
100
0
E
二极管的反向恢复。
on
包括
E
on
400
E
关闭
E
on
300
200
100
0
V
= 400V
5-2005
DD
E
关闭
I = 20A
D
T = 125°C
L = 100μH
E
二极管的反向恢复。
on
J
050-7235修订版A
包括
15
20
25
30
35
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
5
10
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
典型性能曲线
栅极电压
10%
T
J
125°C
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
90%
栅极电压
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
5%
漏极电压
t
D（关闭）
t
f
漏极电压
90%
10%
0
开关能量
T
J
125°C
漏电流
开关能量
图18 ，导通开关波形和De科幻nitions
图19 ，关断开关波形和De科幻nitions
APT15DQ60
V
DD
ID
VDS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
E1国资委：锡，银，铜
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
E3 100 ％锡
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7235修订版A
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
5-2005
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
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