APT20M45BVR(G)
200V ， 56A ， 0.045Ω
功率MOS V
APT20M45BVR(G)
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这项新技术最大限度地减少JFET效应，提高
堆积密度并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现
更快的开关速度经过优化的栅极布局。
TO
-24
7
D
3
特点
更快的开关
低漏
100 ％雪崩测试
热门TO- 247封装
符合RoHS
G
S
D
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
评级
200
56
224
±30
±40
300
2.4
-55到150
300
56
30
1300
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
无铅焊接温度： 0.063"案件从10秒
雪崩电流
1
（重复和非Repatitive ）
重复性雪崩能量
1
单脉冲雪崩能量
4
单位
伏
安培
伏
瓦
W / C°
°C
安培
mJ
静态特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
民
200
56
0.045
25
250
±100
2
4
2
参数
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA)
在国家漏极电流
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
漏源导通电阻
2
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压集电极电流（V
GS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
典型值
最大
单位
伏
安培
欧
μA
050-5514修订版D 3 - 2010
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
ge
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
APT20M45BVR(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6Ω
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
1
栅极 - 源电荷
栅极漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
民
典型值
4050
980
300
130
30
55
12
14
43
7
最大
4860
1375
450
195
45
80
24
28
70
14
单位
pF
nC
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr)
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
（体二极管）
二极管的正向电压
2
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
，二
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
，二
S
/ DT = 100A / μs）内
民
典型值
最大
56
224
1.3
单位
安培
伏
nS
μC
280
3.5
热特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
1
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
0.42
40
单位
C° / W
3
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
见MIL -STD -750方法3471
4
温度。
起始物为
j
= + 25 ° C，L = 830μH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 56A
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
μS,
占空比< 2 ％
Microsemi的
保留随时更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-5514修订版D 3 - 2010
典型性能曲线
APT20M45BVR(G)
TO- 247 （B ）封装外形
E3 100 ％锡镀
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
050-5514修订版D 3 - 2010
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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