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APT20M22LVR
200V 100A 0.022
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应,
增加填充密度,并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门,通过优化布局更快的开关速度..
TO-264
更快的开关
低漏
100 %雪崩测试
热门TO- 264封装
G
D
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
5
5
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M22LVR
单位
安培
200
100
400
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
100
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
5
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
5
典型值
最大
单位
安培
200
100
0.022
25
250
±100
2
4
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
A
nA
050-5544修订版B
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安)
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M22LVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 0.6
典型值
最大
单位
8500
1950
560
290
66
120
16
25
48
5
10200
2730
840
435
100
180
32
50
72
10
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
5
5
典型值
最大
单位
安培
ns
C
(体二极管)
(体二极管)
100
400
1.3
330
5.8
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
4
启动T = + 25 ° C,L = 500μH , R = 25Ω ,峰值I = 100A
j
G
L
5
的最大电流由铅温度的限制。
1
重复评价:脉冲宽度有限的最大的T
j
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.3
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
0.005
0.01
单脉冲
PDM
0.01
注意:
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5544修订版B
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT20M22LVR
200
I
D
,漏极电流(安培)
VGS = 7V , 8V , 10V 15V &
6.5V
160
6V
120
5.5V
80
5V
40
4.5V
4V
0
20
40
60
80
100
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图2 ,典型输出特性
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
200
I
D
,漏极电流(安培)
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
120
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
200
VGS=15V
I
D
,漏极电流(安培)
160
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
120
80
5V
40
4.5V
4V
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,典型输出特性
1.4
V
GS
0
0
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
160
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
VGS=10V
80
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
VGS=20V
40
0
2
4
6
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,一般传输特性
100
I
D
,漏极电流(安培)
0
50
100
150
200
250
300
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
80
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
60
1.05
40
1.00
20
0.95
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
2.5
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
V
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
050-5544修订版B
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
0.6
-50
APT20M22LVR
500
I
D
,漏极电流(安培)
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
10S
100S
C,电容(pF )
30,000
西塞
科斯
CRSS
1,000
500
10,000
5,000
100
50
1mS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
100mS
DC
1
5
10
50 100 200
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
20
I = I [续]
D
D
1
.01
.1
1
10
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
,反向漏电流(安培)
400
100
16
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=160V
8
10
5
4
100
200
300
400
500
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
TO- 264封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 ( 0.215 ) BSC
2-Plcs.
050-5544修订版B
尺寸以毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个: 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT20M22LVR
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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