APT20M22LVR
200V 100A 0.022
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度..
TO-264
更快的开关
低漏
100 ％雪崩测试
热门TO- 264封装
G
D
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
5
5
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M22LVR
单位
伏
安培
200
100
400
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
100
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
5
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
5
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
100
0.022
25
250
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5544修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M22LVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
8500
1950
560
290
66
120
16
25
48
5
10200
2730
840
435
100
180
32
50
72
10
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
5
5
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
（体二极管）
（体二极管）
100
400
1.3
330
5.8
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
4
启动T = + 25 ° C，L = 500μH ， R = 25Ω ，峰值I = 100A
j
G
L
5
的最大电流由铅温度的限制。
1
重复评价：脉冲宽度有限的最大的T
j
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
0.005
0.01
单脉冲
PDM
0.01
注意：
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5544修订版B
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT20M22LVR
200
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 7V ， 8V ， 10V 15V &
6.5V
160
6V
120
5.5V
80
5V
40
4.5V
4V
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
200
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
120
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
200
VGS=15V
I
D
，漏极电流（安培）
160
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
120
80
5V
40
4.5V
4V
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
1.4
V
GS
0
0
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
160
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
VGS=10V
80
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
VGS=20V
40
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
100
I
D
，漏极电流（安培）
0
50
100
150
200
250
300
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
80
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
60
1.05
40
1.00
20
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
050-5544修订版B
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
APT20M22LVR
500
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
C，电容（pF ）
30,000
西塞
科斯
CRSS
1,000
500
10,000
5,000
100
50
1mS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
100mS
DC
1
5
10
50 100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
I = I [续]
D
D
1
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
400
100
16
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=160V
8
10
5
4
100
200
300
400
500
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
TO- 264封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-5544修订版B
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
