APT20M22JVRU3
ISOTOP
降压斩波
MOSFET功率模块
D
V
DSS
= 200V
R
DSON
= 22MΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 97A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
G
S
特点
功率MOS V
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
A
好处
S
G
D
A
ISOTOP
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
很皮实
低调
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
IF
A V
IF
RMS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
mJ
A
TC = 90℃
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
www.Microsemi.com
1–7
APT20M22JVRU3 - 修订版2006年6月1日
T
c
= 25°C
最大额定值
200
97
72
388
±30
22
450
97
50
2500
30
47
单位
V
A
V
m
W
A
APT20M22JVRU3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 160V
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 48.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
最大
25
250
22
4
±100
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 100V
I
D
= 97A @ T
J
=25°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 100V
I
D
= 97A @ T
J
=25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
8500
1950
560
290
66
120
16
25
48
8
最大
单位
pF
nC
ns
菜刀二极管额定值和特性
符号
V
F
I
RM
C
T
t
rr
反向恢复时间
I
RRM
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
特征
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
V
R
= 200V
V
R
= 200V
V
R
= 200V
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 30A
V
R
= 133V
的di / dt = 200A / μs的
民
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
典型值
1.1
1.4
0.9
94
21
24
48
3
6
33
150
31
335
19
最大
1.15
250
500
单位
V
A
pF
ns
A
nC
APT20M22JVRU3 - 修订版2006年6月1日
I
F
= 30A
V
R
= 133V
的di / dt = 1000A / μs的
ns
nC
A
www.Microsemi.com
2–7
APT20M22JVRU3
热和包装特点
符号
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
MOSFET
二极管
2500
-55
典型值
最大
0.28
1.21
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
典型
MOSFET
性能曲线
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3–7
APT20M22JVRU3 - 修订版2006年6月1日
APT20M22JVRU3
www.Microsemi.com
4–7
APT20M22JVRU3 - 修订版2006年6月1日
APT20M22JVRU3
典型的二极管特性曲线
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5–7
APT20M22JVRU3 - 修订版2006年6月1日
APT20M22JVRU3
ISOTOP
降压斩波
MOSFET功率模块
D
V
DSS
= 200V
R
DSON
= 22MΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 97A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
G
S
特点
功率MOS V
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
A
好处
S
G
D
A
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
很皮实
低调
ISOTOP
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
IF
A V
IF
RMS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
A
TC = 90℃
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1–7
APT20M22JVRU3 - 牧师2004年0月，
最大额定值
200
97
72
388
±30
22
450
97
50
2500
30
47
单位
V
A
V
m
W
A
APT20M22JVRU3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V,V
DS
= 200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 160V
民
200
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2
典型值
最大
25
250
22
4
±100
单位
V
A
m
V
nA
V
GS
= 10V ，我
D
= 48.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 100V
I
D
= 97A @ T
J
=25°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 100V
I
D
= 97A @ T
J
=25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
8500
1950
560
290
66
120
16
25
48
8
最大
单位
pF
nC
ns
二极管额定值和特性
符号
V
F
I
RM
C
T
t
rr
反向恢复时间
I
RRM
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
特征
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
V
R
= 200V
V
R
= 200V
V
R
= 200V
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 30A
V
R
= 133V
的di / dt = 200A / μs的
民
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
典型值
1.1
1.4
0.9
94
21
24
48
3
6
33
150
31
335
19
最大
1.15
250
500
单位
V
A
pF
ns
A
nC
ns
nC
A
I
F
= 30A
V
R
= 133V
的di / dt = 1000A / μs的
APT网站 - http://www.advancedpower.com
2–7
APT20M22JVRU3 - 牧师2004年0月，
APT20M22JVRU3
热和包装特点
符号
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
特征
结到外壳
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
MOSFET
二极管
2500
-55
典型值
最大
0.28
1.21
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
典型
MOSFET
性能曲线
APT网站 - http://www.advancedpower.com
3–7
APT20M22JVRU3 - 牧师2004年0月，
APT20M22JVRU3
APT网站 - http://www.advancedpower.com
4–7
APT20M22JVRU3 - 牧师2004年0月，
APT20M22JVRU3
典型的二极管特性曲线
APT网站 - http://www.advancedpower.com
5–7
APT20M22JVRU3 - 牧师2004年0月，
QQ：2880707522 复制
