APT20M18B2VFR
A20M18LVFR
200V 100A
0.018
功率MOS V
FREDFET
B2VFR
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
TO-264
LVFR
T- MAX
或TO- 264封装
更快的开关
低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
6
额定雪崩能量
快速恢复体二极管
G
S
D
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M18B2VFR_LVFR
单位
伏
安培
200
@ T
C
= 25°C
100
400
±30
±40
625
5.00
-55到150
300
100
50
3000
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
4
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
200
0.018
250
1000
±100
2
4
(V
GS
= 10V ，我
D
= 50A)
欧
A
nA
伏
5-2004
050-5906修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M18B2VFR_LVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 150V
I
D
= 100A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 150V
I
D
= 100A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
9880
2320
700
330
55
145
18
27
55
6
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
100
400
1.3
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -100A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -100A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -100A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -100A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
230
450
0.9
3.4
11
20
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 600μH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 100A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
100A
di
/
dt
≤
200A/s
VR
≤200V
TJ
≤
150
°
C
6
的最大电流由铅温度的限制。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.25
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.20
0.9
0.15
0.7
0.5
0.3
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
5-2004
0.10
050-5906修订版A
0.05
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
250
APT20M18B2VFR_LVFR
VGS = 15 V &10
7V
200
6.5V
150
6V
100
5.5V
50
5V
4.5V
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
0
0
0.0302
0.00809F
动力
（瓦特）
0.0729
0.0182F
0.0955
外壳温度。 （ ° C）
0.264F
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
120
100
80
60
40
TJ = + 25°C
20
0
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.40
归一
= 10V @ 50A
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=10V
TJ = -55°C
VGS=20V
0
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
20
100
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
80
1.10
60
1.05
40
1.00
20
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
0.90
-50
2.5
= 50A
= 10V
GS
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
050-5906修订版A
5-2004
400
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
APT20M18B2VFR_LVFR
西塞
I
D
，漏极电流（安培）
100
50
100S
C，电容（pF ）
10,000
科斯
1,000
CRSS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
10mS
1
1
10
100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 100A
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS = 40V
8
VDS = 100V
VDS = 160V
4
10
100
200
300
400
500
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形（ B2VFR ）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）封装外形（ LVFR ）
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5-2004
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
050-5906修订版A
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT20M18B2VFR
APT20M18LVFR
功率MOS V
FREDFET
B2VFR
200V 100A 0.018
W
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
TO-264
相同的规格：
T- MAX
或TO- 264封装
低漏
快速恢复体二极管
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
LVFR
D
G
S
更快的开关
100 ％雪崩测试
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M18
单位
伏
安培
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
5
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
5
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
为C n
TE IO
ED AT
C
M
N
R
A
V
FO
d。在
A
200
100
400
5
±30
±40
625
5.0
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
300
100
50
（重复，不重复）
1
4
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
5
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
100
0.018
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
REV- 11-99
050-5906
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M18 B2VFR - LVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
9910
2270
650
330
75
18
27
54
6
143
nC
栅极 - 源电荷
导通延迟时间
上升时间
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
6
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
为C n
TE IO
AT
E
C
M
N
R
A
V
FO
d。在
A
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
100
400
1.3
5
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
230
450
T
j
= 125°C
0.9
3.4
11
20
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
C
安培
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
4
启动T = + 25 ° C，L = 600μH ， R = 25W ，峰值I = 100A
j
G
L
5
的最大电流由铅温度的限制。
6
I
我[续]
di
/
= 100A / μs的，V = 50V ，T
150℃ ，R = 2.0W
S
D
R
j
G
dt
1
重复评价：脉冲宽度有限的最大的T
j
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
T- MAX （ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
集热器
集热器
20.80 (.819)
21.46 (.845)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50
（ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
REV- 11-99
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
门
集热器
辐射源
门
集热器
辐射源
0.48 (.019) 0.76 (.030)
0.84 (.033) 1.30 (.051)
2.79 (.110)
2.59 (.102)
3.18 (.125)
3.00 (.118)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-5906
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
