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2.0x1.25mm PHOTOTRANSISTOR
产品型号： APT2012P3BT
特点
2.0mmx1.25mm SMT LED ， 0.75毫米厚度。
机械和光谱匹配
红外发光LED灯。
蓝色透明的镜头。
包装： 2000个/卷。
湿度敏感度等级： 3级。
符合RoHS 。
描述
制作与NPN硅phototansistor芯片。
包装尺寸
注意事项：
1.所有尺寸为毫米（英寸） 。
2.公差为± 0.1（ 0.004" ），除非另有说明。
3.规格如有变更，恕不另行通知。
4.该设备具有一个单个的安装表面。设备必须按照规范进行安装。
规范编号： DSAH3784
批准： WYNEC
REV NO： V.1
检查：艾伦刘
日期： APR /二千〇七分之二十九
得出： Y.L.LI
页次：1 4
ERP ： 1203001828
在TA电气/光学特性= 25°C
符号
V
BR CEO
V
BR ECO
V
CE （SAT）
I
首席执行官
T
R
T
F
I
（上）
2θ1/2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极暗电流
上升时间（10 ％90％
)
下降时间（90 ％10％
)
关于国家集电极电流
视角
0.1
15
15
1
120
分钟。
30
5
0.8
100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
us
us
mA
度
测试条件
I
C
=100uA
Ee=0mW/c
㎡
I
E
=100uA
Ee=0mW/c
㎡
I
C
=2mA
Ee=20mW/c
㎡
V
CE
=10V
Ee=0mW/c
㎡
V
CE
= 5V
I
C
=1mA
R
L
=1000
V
CE
= 5V
Ee=1mW/c
㎡
λ=940nm
在Ta绝对最大额定值= 25°C
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
在（或低于） 25℃自由空气温度功耗
工作温度
储存温度
Max.ratings
30V
5V
100mW
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
规范编号： DSAH3784
批准： WYNEC
REV NO： V.1
检查：艾伦刘
日期： APR /二千〇七分之二十九
得出： Y.L.LI
第2页4
ERP ： 1203001828
APT2012P3BT
推荐焊接模式
（单位：mm ;公差： ± 0.1 ）
带规格
（单位：毫米）
规范编号： DSAH3784
批准： WYNEC
REV NO： V.1
检查：艾伦刘
日期： APR /二千〇七分之二十九
得出： Y.L.LI
第3页4
ERP ： 1203001828
包装&标签规范
APT2012P3BT
规范编号： DSAH3784
批准： WYNEC
REV NO： V.1
检查：艾伦刘
日期： APR /二千〇七分之二十九
得出： Y.L.LI
第4页： 4
ERP ： 1203001828
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AME8500BEETCA20
AD9874BST
AM1L-2415D-NZ
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT2012P3BT
    -
    -
    -
    -
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联系人：朱先生
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0805（2012 公制）
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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