APT18M80B
APT18M80S
800V ， 18A ， 0.56Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
8
TO
-2
47
D
3
PAK
APT18M80B
单芯片MOSFET
APT18M80S
D
G
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
18
12
70
±30
795
9
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.22
6.2
10
1.1
-55
0.11
150
300
民
典型值
最大
500
0.25
单位
W
° C / W
°C
2-2007
050-8112
REV A
oz
g
·在磅
N·m的
力矩
安装扭矩（ TO- 247封装） ， 6-32或M3螺丝
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 9A
APT18M80B_S
典型值
0.87
0.43
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
800
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
V
DS
= 800V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
0.56
5
100
500
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 9A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
17
3760
65
375
175
最大
单位
S
pF
5
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至533V
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 9A,
V
DS
= 400V
电阻开关
V
DD
= 533V
,
I
D
= 9A
R
G
= 4.7
6
,
V
GG
= 15V
90
120
20
60
21
31
95
27
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
18
单位
A
G
S
3
70
1.0
860
16
10
V
ns
C
V / ns的
I
SD
= 9A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 9A ，V
DD
= 100V
di
SD
/
DT = 100A / μs的，T
J
= 25°C
I
SD
≤ 9A ， di / dt的≤1000A /微秒，V
DD
= 533V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 19.63mH中，R
G
= 10, I
AS
= 9A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
2-2007
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= 1.19E -8 / V
DS
^ 2 + 1.53E - 8 / V
DS
+ 5.89E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8112
REV A
50
V
GS
= 10V
25
T
J
= -55°C
APT18M80B_S
T = 125°C
J
V
GS
= 10， & 15V
40
I
D
，漏电流（ A）
20
I
D
， DRIAN电流（A）
V
GS
= 6 ， & 6.5V
T
J
= 25°C
5.5V
30
15
20
T
J
= 125°C
10
5V
10
T
J
= 150°C
5
4.5V
0
30
25
20
15
10
5
0
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
图1中，输出特性
归一
V
GS
= 10V @ 9A
0
4V
0
30
25
20
15
10
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图2中，输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
70
60
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
25 50 75 100 125 150
0
-55 -25
T
J
，结温（ ° C）
图3中，R
DS （ ON）
VS结温
25
T
J
= -55°C
8
7
6
5
4
3
2
1
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4 ，传热特性
C
国际空间站
5,000
g
fs
，跨导
20
15
T
J
= 125°C
10
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
1,000
100
C
OSS
5
C
RSS
0
0
2
10 12 14
8
6
4
I
D
，漏电流（ A）
图5 ，增益VS漏电流
16
100 200 300 400 500 600 700 800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图6 ，电容VS漏 - 源极电压
0
70
I
SD ，
反向漏电流（ A）
60
50
40
T
J
= 25°C
10
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
I
D
= 9A
V
DS
=
160V
V
DS
=
400V
30
20
10
0
0
2-2007
050-8112
REV A
T
J
= 150°C
V
DS
=
640V
40 60 80 100 120 140 160 180
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7 ，栅极电荷VS门 - 源极电压
0
20
0
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图8 ，反向漏电流与源极到漏极电压
100
100
I
DM
APT18M80B_S
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
13s
100s
10
13s
100s
RDS （ ON）
1
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
1ms
10ms
100ms
DC线
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
DC线
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
T
J
(°C)
0.0974
耗散功率
（瓦特）
0.00994
0.209
T
C
(°C)
0.153
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
图11 ，瞬态热阻抗模型
0.30
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.25
D = 0.9
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.7
0.5
0.3
单脉冲
0.1
0.05
注意：
Z
EXT
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图12.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
TO- 247 （B ）封装外形
E3 100 ％锡镀
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
D
3
PAK封装外形
漏
（散热器）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2-2007
19.81 (.780)
20.32 (.800)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
REV A
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-8112
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
