APT17N80BC3
APT17N80SC3
800V 17A
0.290
D
3
PAK
TO-247
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT17N80BC3_SC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
800
17
51
±20
±30
208
1.67
-55到150
300
50
17
0.5
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 640V ，我
D
= 17A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
670
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.25
0.5
0.29
25
250
(V
GS
= 10V ， 11A ）
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
2.10
3
3.9
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7142修订版D
4-2004
±100
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT17N80BC3_SC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 to10V
V
DD
= 400V
I
D
= 17A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 17A @ 125°C
R
G
= 4.7
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 17A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 17A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
2255
1045
55
90
11
45
25
15
70
6
245
140
425
170
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
82
9
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
17
51
1
550
15
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
17A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
17A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
反向恢复电荷（我
S
= -
17A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.60
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 115.92mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 3.4A
5
IS
=
-
17A
di
/
dt
= 100A / μs的
VR
= 480V
TJ
= 125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.70
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.60
0.9
0.50
0.7
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
1.0
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7142修订版D
4-2004
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
VGS = 15 & 10V
APT17N80BC3_SC3
遥控模型
连接点
TEMP （℃）
0.259
动力
（瓦特）
0.341
外壳温度（ ° C）
0.135
0.0050
6.5V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
归一
V
= 10V @ 8.5A
GS
50
45
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
40
35
30
25
20
15
10
5
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0 1 2
3 4
5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
5
10
15
20
25
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
30
18
16
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3.0
I
D
= 8.5A
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
= 10V
-25
0
25
50
75
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7142修订版D
4-2004
典型性能曲线
51
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
APT17N80BC3_SC3
I
D
，漏极电流（安培）
100S
5
C，电容（pF ）
10
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
1
1mS
10mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 17A
200
100
12
VDS = 160V
8
VDS = 400V
VDS = 640V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
4
20
40
60
80
100 120 140
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
100
90
80
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
50
V
DD
G
1
= 533V
t
D（关闭）
40
V
DD
G
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
f
70
60
50
40
30
20
10
0
5
= 533V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
30
20
t
r
10
t
D（上）
10
15
20
25
30
20
25
30
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
1200
E
on
开关能量（ μJ ）
0
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
5
10
15
800
= 533V
R
= 5
T = 125°C
J
1000
800
600
E
on
400
200
0
V
I
DD
E
关闭
开关能量（ μJ ）
600
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
400
= 533V
4-2004
200
E
关闭
0
D
J
= 17A
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7142修订版D
20
25
30
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
5
10
15
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
APT17N80BC3_SC3
10 %
栅极电压
90%
TJ = 125℃
t
漏电流
栅极电压
T = 125℃
J
D（关闭）
t
D（上）
漏电流
90%
漏极电压
90%
5%
t
r
10 %
5%
t
f
10%
漏极电压
0
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7142修订版D
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
4-2004
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
QQ：2881677436 复制
