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APT15GP60BDF1
600V
功率MOS 7 IGBT
TO-247
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高,
高电压开关应用,并已被优化用于高频率
开关模式电源。
G
C
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
100 kHz的工作频率@ 400V , 19A
200 kHz的工作频率@ 400V , 12A
额定SSOA
E
C
G
E
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT15GP60BDF1
单位
600
±20
±30
56
27
65
65A @ 600V
250
-55到150
300
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 500A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
500
2
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 15A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 15A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
2
3000
±100
nA
I
GES
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7428
版本B
4-2003
I
CES
A
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
1
APT15GP60BDF1
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 15A
T
J
= 150℃ ,R
G
= 5, V
GE
=
15V , L = 100μH ,V
CE
= 600V
电感式开关( 25 ° C)
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
4
5
典型值
最大
单位
1685
210
15
7.5
55
12
15
65
8
12
29
58
130
152
121
8
12
69
88
130
267
268
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
开关安全工作区
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量(二极管)
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
44
55
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关( 125°C )
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量(二极管)
关断开关能量
66
J
热和机械特性
特征
结到外壳( IGBT )
结到管壳(二极管)
包装重量
.50
1.31
5.90
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备,I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 (参见图24 )
5 E
on2
是钳位感性开启能量,包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 (见图21 , 22 )
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 (见图21 , 23 )
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
050-7428
版本B
4-2003
典型性能曲线
30
25
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
APT15GP60BDF1
30
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
,集电极电流( A)
20
I
C
,集电极电流( A)
25
20
15
T
C
=25°C
T
C
=-55°C
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
图1中,输出特性(Ⅴ
GE
= 15V)
100
TJ = -55°C
T
C
=125°C
15
T
C
=25°C
T
C
=-55°C
5
0
T
C
=125°C
10
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
图2中,输出特性(Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
V
CE
= 480V
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
栅极电荷( NC)
图4中,栅极电荷
60
I
C
= 15A
T
J
= 25°C
I
C
,集电极电流( A)
80
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
60
40
TJ = 25°C
20
TJ = 125°C
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
3.5
3
2.5
I
C
=30A
2
1.5
1
0.5
0
I
C
= 15A
3.5
3
I
C
=30A
2.5
I
C
= 15A
2
I
C
= 7.5A
1.5
1
0.5
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
= 7.5A
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
I
C,
DC集电极电流( A)
6
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
0
-50
-25
4-2003
050-7428
版本B
0
-50
-25
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
APT15GP60BDF1
18
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
80
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
16
14
12
V
GE
= 15V
10
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
30
T
=
25或125°C ,V
GE
=
10V
J
70
60
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
100
V
CE
= 400V
R
G
= 5
L = 100 μH
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
V
GE
=10V,T
J
=125°C
V
GE
= 10V
V
CE
= 400V
T
J
= 25 ° C或125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
25
t
r,
上升时间(纳秒)
t
f,
下降时间(纳秒)
80
T
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
J
20
60
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
15
10
T
=
25或125°C ,V
GE
=
15V
J
40
5
0
20
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
400V
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
400V
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
700
E
ON2
,开启能量损失( μJ )
V
CE
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
700
E
关闭
,关闭能量损失( μJ )
V
CE
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
600
500
400
300
200
T
J
= 125°C ,V
GE
=15V
600
500
400
300
200
100
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
= 25 ° C,V
GE
=15V
100
0
T
J
= 25 ° C,V
GE
=10V
T
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
0
J
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
900
开关损耗( μJ )
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
700
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
开关损耗( μJ )
800
700
600
500
400
E
on2
30A
600
500
E
关闭
30A
E
on2
30A
400
300
200
100
0
-50
E
关闭
30A
E
on2
15A
300
200
100
0
10
20
30
40
50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
0
E
on2
7.5A
E
关闭
7.5A
E
关闭
15A
4-2003
E
on2
15A
E
关闭
15A
E
on2
7.5A
E
关闭
7.5A
版本B
050-7428
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温
典型性能曲线
4,000
I
C
,集电极电流( A)
70
资本投资者入境计划
60
50
40
30
20
10
0
APT15GP60BDF1
1,000
C,电容( F)
500
卓越中心
100
50
CRES
10
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
0
P
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0
0.60
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.50
0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
注意:
PDM
0.20
0.3
0.10
0.1
0.05
0
10
-5
10
-4
单脉冲
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图19A ,最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
1.0
292
F
最大
,工作频率(千赫)
遥控模型
连接点
温度。 ( “C )
0.216
动力
(瓦特)
0.284
外壳温度
0.164
0.00600
100
50
图19B ,瞬态热阻抗模型
15 20 25 30 35 40 45 50
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极电流
10
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
5
10
F
最大
=
分(F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D(上)
0.05
+
t
r
+
t
D(关闭)
+
t
f
4-2003
050-7428
版本B
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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