600V
APT150GN60LDQ4(G)
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
600V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
易于并联
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
APT150GN60LDQ4(G)
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
2
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT150GN60LDQ4(G)
单位
伏
600
±30
220
123
450
450A @ 600V
536
-55至175
300
安培
开关安全工作区@ T
J
= 175°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 2400μA ，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
5.0
1.05
5.8
1.45
1.65
75
3
6.5
1.85
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 150A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 150A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
3
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
μA
nA
Ω
10-2008
050-7633
REV A
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
2000
600
2
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
典型性能曲线
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
4
APT150GN60LDQ4(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 150A
T
J
= 175 ° C，R
G
= 4.3Ω
8
, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
5
6
民
典型值
最大
单位
9200
350
300
9.5
970
65
510
450
44
110
430
60
8810
8615
4295
44
110
480
95
8880
9735
5460
μ
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller" ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
54
65
R
G
= 1.0Ω
8
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
7
μ
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
R
G
= 1.0Ω
8
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
67
热和机械特性
符号特性/测试条件
R
R
θ
JC
θ
JC
民
-
-
2500
-
典型值
-
-
最大
0.28
.30
单位
° C / W
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
RMS电压
（ 50-60赫兹Sinsoidal波形，从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
包装重量
V
隔离和
n
W
T
6.1
-
gm
1
连续电流受限情况下的温度。
2重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
3对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
4见MIL-STD- 750方法3471 。
10-2008
REV A
050-7633
5 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。经过测试，在所示电感式开关测试电路
gure 21 ，而是用碳化硅二极管。
6 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
7 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
8 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
典型性能曲线
350
300
T
J
= 25°C
250
T
J
= 125°C
200
T
J
= 175°C
150
100
50
0
0
0.5 1.0
1.5 2.0
2.5 3.0
3.5
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
V
GE
APT150GN60LDQ4(G)
400
12,13 &15V
11V
= 15V
T
J
= -55°C
I
C
，集电极电流（ A）
350
300
250
200
150
100
50
0
I
C
，集电极电流（ A）
10V
9V
8V
7V
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
400
600
800 1000
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.0
2.5
2.0
I
C
= 150A
1.5
1.0
0.5
0
I
C
= 75A
1200
I = 150A
C
中T = 25℃
J
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 175°C
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
V
CE
= 480V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 300A
I
C
= 300A
I
C
= 150A
I
C
= 75A
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.15
0
8
25
50
75 100 125 150 175
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
300
0
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.10
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
250
200
150
10-2008
050-7633
REV A
100
50
0
-50 -25
0.70
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，阈值电压与结温
0 25 50 75 100 125 150 175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
典型性能曲线
20,000
10,000
C，电容（ F）
500
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
500
APT150GN60LDQ4(G)
400
P
300
100
50
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
200
100
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0
0.30
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.20
0.7
0.15
0.5
注意：
0.3
PDM
0.10
t1
t2
0.05
0
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
50
F
最大
，工作频率（千赫）
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0964
动力
（瓦特）
0.184
外壳温度。 （ ° C）
0.300
0.00770
10
5
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
= 400V
V
CE
R = 1.0Ω
G
F
最大
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
70 90 110 130 150 170 190
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
1
30
50
050-7633
REV A
10-2008
QQ：2880707522 复制
