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数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
概述
该APT13005S是一种高电压,高转速,高
效率的开关晶体管,并且它是特别
专为离线式开关电源用
低输出功率。
该APT13005S可在TO- 220F - 3 , TO- 126
和TO- 251封装。
APT13005S
特点
·
·
·
·
高开关速度
高集电极 - 发射极电压: 700V
低成本
高效率
应用
·
·
·
电池充电器的BCD解决方案的手机
电源的BCD解决方案的DVD /机顶盒
驱动BCD解决方案的LED照明
TO-126
TO-220F-3
TO-251
APT13005S图1.包装类型
2011年8月修订版1.1
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
引脚配置
ü套餐
(TO-126)
APT13005S
3
2
1
辐射源
集热器
BASE
TF包
(TO-220F-3)
3
2
1
辐射源
集热器
BASE
一套餐
(TO-251)
3
2
1
辐射源
集热器
BASE
图2. APT13005S的引脚配置(前视图)
2011年8月修订版1.1
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
订购信息
APT13005S
电路类型
U: TO- 126
TF : TO- 220F - 3
我: TO- 251
TO-126
TO-220F-3
TO-251
产品型号
无铅
APT13005SU-E1
APT13005STF-E1
APT13005SI-E1
APT13005S
-
E1 :无铅
G1 :绿
空白:管
标记ID
绿色
APT13005SU-G1
APT13005STF-G1
APT13005SI-G1
无铅
EU13005S
APT13005STF-E1
APT13005SI-E1
绿色
GU13005S
APT13005STF-G1
APT13005SI-G1
包装类型
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。与产品
"G1"后缀是绿色封装。
绝对最大额定值(注1 )
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压(I
C
=0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
TO-220F-3
功耗,T
C
=25
o
C
TO-251
TO-126
工作结温
存储温度范围
T
J
T
英镑
P
合计
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
价值
700
450
9
3.2
6.4
1.6
3.2
28
25
20
150
-55到150
o
C
o
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
2011年8月修订版1.1
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
热特性
参数
符号
条件
TO-220F-3
最大热阻
θ
JC
结到外壳
TO-251
TO-126
价值
4.5
5.0
6.25
o
C / W
APT13005S
单位
电气特性
( T
C
=25
o
C,除非另有规定)。
参数
集电极截止电流
(V
BE
=-1.5V)
集电极 - 发射极可持续
电压(I
B
= 0) (注2)
符号
I
CEV
V
首席执行官
( SUS)的
条件
V
CE
=700V
I
C
=100A
I
C
= 1.0A ,我
B
=0.2A
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE
(SAT)
I
C
= 2.0A ,我
B
=0.5A
I
C
= 3.0A ,我
B
=0.75A
基射极饱和
电压
DC电流增益(注2)
开启时间与阻性负载
贮存时间与阻性负载
下降时间有阻性负载
输出电容
电流增益带宽积
V
BE
(SAT)
I
C
= 1.0A ,我
B
=0.2A
I
C
= 2.0A ,我
B
=0.5A
I
C
= 1.0A ,V
CE
=5.0V
I
C
= 2.0A ,V
CE
=5.0V
I
C
= 2.0A ,V
CC
=125V
I
B1
= 0.4A ,我
B2
=-0.4A
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A
4
35
15
8
450
0.3
0.6
1.0
1.2
V
1.4
35
35
0.7
4.5
0.8
s
s
s
pF
兆赫
V
典型值
最大
10
单位
A
V
h
FE
ts
tf
C
OB
f
T
注2:脉冲宽度脉冲测试
300μS ,占空比
2%.
2011年8月修订版1.1
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
典型性能特性
APT13005S
10
10
DC
集电极电流I
C
(A)
1
DC
集电极电流I
C
(A)
T
C
=25 C
o
1
0.1
0.1
T
C
=25 C
1000
0.01
1
10
100
1000
o
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
图3.安全工作区
( TO- 220F - 3包)
科幻gure
4.
安全工作区
( TO- 251封装)
10
125
100
1
功率降额系数( % )
T
C
=25 C
o
DC
集电极电流I
C
(A)
75
50
0.1
25
0.01
0
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
o
150
175
200
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
外壳温度( C)
图5.安全工作区
( TO- 126封装)
图6.功率降额曲线
2011年8月修订版1.1
5
BCD半导体制造有限公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT13005SU-G1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:刘经理
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DIODES/美台
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全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83259945
联系人:柯小姐
地址:深圳市福田区 深圳市福田区中航路世纪汇广场都会轩1213
APT13005SU-G1
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TO-126
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
APT13005SU-G1
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3000
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