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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第722页 > APT13003DZTR-G1
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
概述
该APT13003D是一种高电压,高转速,高
效率的开关晶体管,并且它是特别
专为离线式开关电源用
低输出功率。
该APT13003D可在TO- 92 (散装或弹药
填料) ,TO- 126和TO- 251封装。
APT13003D
特点
·
·
·
·
高开关速度
高集电极 - 发射极电压: 700V
低成本
高效率
应用
·
·
电池充电器的BCD解决方案的手机
电源的BCD解决方案的DVD /机顶盒
TO- 92 (散装包装)
TO- 92 (弹药包装)
TO-126
TO-251
APT13003D图1.包装类型
2012年7月修订版1.2
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
引脚配置
ü套餐
(TO-126)
3
2
1
辐射源
集热器
BASE
APT13003D
一套餐
(TO-251)
3
2
1
辐射源
集热器
BASE
(前视图)
包装
( TO- 92 (散装包装) )
(前视图)
( TO- 92 (弹药包装) )
3
2
1
BASE
集热器
辐射源
3
2
1
BASE
集热器
辐射源
( TOP VIEW )
图2. APT13003D的引脚配置
( TOP VIEW )
内部结构
集热器
BASE
辐射源
图3. APT13003D的内部结构
2012年7月修订版1.2
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
订购信息
APT13003D
电路类型
U: TO- 126
Z: TO- 92
我: TO- 251
TO-126
TO-92
TO-251
产品型号
APT13003DU-G1
APT13003DZ-G1
APT13003DZTR-G1
APT13003DI-G1
APT13003D
-
G1 :绿
空白:管或散装
TR :弹药
标记ID
GU13003D
13003DZ-G1
13003DZ-G1
APT13003DI-G1
包装类型
体积
体积
弹药
BCD半导体的无铅产品,如标有"G1"后缀的零件编号,符合RoHS标准,绿色环保。
绝对最大额定值(注1 )
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压(I
C
=0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
功率耗散(T
A
=25
o
C)
功率耗散(T
C
=25
o
C)
工作结温
存储温度范围
为TO-92
对于TO- 251
对于TO- 126
T
J
T
英镑
P
合计
符号
V
CES
V
首席执行官
( SUS)的
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
价值
700
450
9
1.5
3.0
0.75
1.5
1.1
24
20
150
-55到150
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
2012年7月修订版1.2
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
热特性
参数
对于TO- 126
最大热阻
(结
以案例)
对于TO- 251
为TO-92
对于TO- 126
最大热阻
(结
到环境)
对于TO- 251
为TO-92
θ
JA
θ
JC
符号
价值
6.25
5.0
83.3
96
110
113.6
o
C / W
o
C / W
APT13003D
单位
电气特性
( T
C
=25
o
C,除非另有规定)。
参数
集电极截止电流(V
BE
=-1.5V)
集电极 - 发射极可持续(我
B
=0)
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CEV
V
首席执行官
( SUS)的
V
CE
(SAT)
条件
V
CE
=700V
I
C
=100A
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1.0A ,我
B
=0.25A
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1.0A ,我
B
=0.25A
I
C
= 0.5A ,V
CE
=2.0V
I
C
= 1.0A ,V
CE
=2.0V
I
C
= 1.0A ,V
CC
=125V
I
B1
= 0.2A ,我
B2
=-0.2A
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
V
CE
= 10V ,我
C
=0.1A
4
18
16
5.0
450
0.3
0.4
1.0
1.2
30
25
0.7
3.0
0.35
s
s
s
pF
MH
典型值
最大
10
单位
A
V
V
基射极饱和电压
V
BE
(SAT)
V
DC电流增益(注2)
开启时间与阻性负载
贮存时间与阻性负载
下降时间有阻性负载
输出电容
电流增益带宽积
h
FE
ts
tf
C
OB
f
T
注2:脉冲宽度脉冲测试
300μS ,占空比
2%.
2012年7月修订版1.2
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
典型性能特性
APT13003D
10
10
DC
集电极电流I
C
(A)
1
1
DC
集电极电流I
C
(A)
T
C
=25 C
o
0.1
0.1
0.01
o
T
C
=25 C
1000
1E-3
1
10
100
1000
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
图4.安全工作区
( TO- 126封装)
图5.安全工作区
( TO- 92封装)
10
125
DC
1
100
功率降额系数( % )
T
C
=25 C
o
集电极电流I
C
(A)
75
50
0.1
25
0.01
1
10
100
1000
0
0
25
50
75
100
125
o
150
175
200
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
外壳温度( C)
图6.安全工作区
( TO- 251封装)
图7.功率降额曲线
2012年7月修订版1.2
5
BCD半导体制造有限公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT13003DZTR-G1
    -
    -
    -
    -
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联系人:陈小姐 张先生
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