APT12F60K
600V, 12A, 0.62 MAX,<180nS
N沟道FREDFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
这种“ FREDFET ”版本有一个漏极 - 源极（身体）二极管已优化
在ZVS阶段高可靠性，通过减少吨转向桥及其它电路
rr
软
回收，回收率高dv / dt能力。低栅电荷，高增益，和一个大大
的C比率降低
RSS
/C
国际空间站
使其具有很好的抗干扰性和低开关损耗。该
固有栅极电阻和多晶硅栅结构有助于控制的电容
di / dt的切换，从而导致低的EMI和可靠并联，即使在切换时
在非常高的频率。
APT12F60K
单芯片FREDFET
D
G
S
特点
快速，低EMI转换
低反向恢复时间trr高可靠性
超低的Crss ，以提高抗噪声能力
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS标准
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
PFC等升压转换器
降压转换器
单和两个开关正激
反激式
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
12
7
41
±30
305
6
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.07
1.2
10
1.1
-55
0.11
150
300
民
典型值
最大
225
0.56
单位
W
° C / W
°C
oz
g
·在磅
N·m的
05-2009
050-8146
REV C
力矩
安装扭矩（ TO- 220封装） ， 4-40或M3螺丝
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 6A
APT12F60K
典型值
0.57
0.51
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
250
1000
±100
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
600
V
GS
= V
DS
,
I
D
- 0.5毫安
V
DS
= 600V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2.5
0.62
5
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 6A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
11
2200
22
200
105
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至400V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 4A,
V
DS
= 300V
电阻开关
V
DD
= 400V
,
I
D
= 6A
R
G
= 10
6
,
V
GG
= 15V
55
55
12
23
12
14
37
11
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
12
单位
G
S
A
41
1.0
180
330
0.52
1.21
5.6
7.5
20
V
ns
C
A
V / ns的
I
SD
= 6A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
= 6A
3
V
DD
= 100V
di
SD
/
DT = 100A / μs的
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
≤
图6A中， di / dt的
≤1000A/s,
V
DD
= 400V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 16.94mH中，R
G
= 25, I
AS
= 6A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
05-2009
REV C
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -2.12E -8 / V
DS
^ 2 + 8.92E - 9 / V
DS
+ 3.33E-11.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息所包含。
050-8146
40
35
V
GS
= 10V
18
T = 125°C
APT12F60K
J
16
T
J
= -55°C
V
GS
= 10， & 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
， DRIAN电流（A）
30
25
20
15
10
5
0
14
V
12
10
8
6
GS
= 6 ， & 6.5V
T
J
= 25°C
5.5V
5V
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
4
2
0
0
4.5V
4V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
Figure 1, Output Characteristics
归一
V
GS
= 10V @ 6A
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 2, Output Characteristics
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
40
35
I
D
，漏电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
0
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
-55 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
Figure 3, R
DS （ ON）
VS结温
20
18
T
J
= -55°C
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
Figure 4, Transfer Characteristics
C
国际空间站
3,000
1,000
C，电容（pF ）
g
fs
，跨导
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
C
OSS
10
C
RSS
4
6
8
10
12
I
D
，漏电流（ A）
Figure 5, Gain vs Drain Current
14
100
200
300
400
500
600
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
40
I
SD ，
反向漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
0
0
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
1
0
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
14
12
I
D
= 6A
V
DS
=
160V
10
8
6
4
2
10 20 30 40 50 60 70
80
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
0
0
V
DS
=
400V
V
DS
=
640V
050-8146
REV C
05-2009
APT12F60K
60
60
I
DM
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
10
RDS （ ON）
13s
100s
13s
100s
1
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
DC线
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
1ms
10ms
100ms
DC线
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 9, Forward Safe Operating Area
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 10, Maximum Forward Safe Operating Area
1
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
0.5
注意：
PDM
t1
t2
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
Figure 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance Junction-to-Case vs Pulse Duration
1.0
TO-220 (K) Package Outline
E3 100 ％锡镀
漏
05-2009
门
漏
来源
REV C
050-8146
尺寸以英寸（毫米）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
