APT12080B2VFR
APT12080LVFR
功率MOS V
FREDFET
1200V 16A 0.800
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
TO-264
更快的开关
低漏
额定雪崩能量
热门
T- MAX
或TO- 264
包
FREDFET
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT12080B2VFR_LVFR
单位
伏
安培
1200
16
64
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
16
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1200
0.800
250
1000
(V
GS
= 10V ，我
D
= 8A)
欧
A
050-5840修订版A
2-2006
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1200, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 960V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
=
2.5mA)
±100
2
4
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT12080B2VFR_LVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
6500
530
250
325
29
145
16
12
59
12
7800
740
375
485
45
215
32
24
90
24
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
16
64
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
350
700
2
6
12
22
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 19.53mH ， R = 25Ω ，峰值I = 16A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5
I
≤
我[续]
di
/
= 100A / μs的，T
≤
150℃ ，R = 2.0Ω V = 200V 。
S
D
j
G
R
dt
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
050-5840修订版A 2-2006
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
典型性能曲线
30
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 5V ， 6V ， 7V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
30
APT12080B2VFR_LVFR
VGS = 5V ， 6V ， 7V ， 10V 15V &
24
24
18
18
4.5V
12
4.5V
12
6
6
4V
0
120
240
360
480
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
4V
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
50
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.25
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
40
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
VGS=10V
VGS=20V
30
20
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
10
TJ = + 25°C
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
16
I
D
，漏极电流（安培）
0
0
8
16
24
32
40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
12
1.10
1.05
8
1.00
4
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.90
-50
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
= 10V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
050-5840修订版A 2-2006
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
100
I
D
，漏极电流（安培）
30,000
10S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
APT12080B2VFR_LVFR
50
100S
10,000
C，电容（pF ）
西塞
10
5
5,000
1mS
10mS
1,000
500
科斯
CRSS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
.1
1
5 10
50 100
500 1200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
16
VDS=120V
12
VDS=240V
10
5
8
VDS=600V
1
.5
4
100
200
300
400
500
600
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
050-5840修订版A 2-2006
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT12080B2VFR
APT12080LVFR
功率MOS V
FREDFET
1200V 16A 0.800
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
TO-264
更快的开关
低漏
额定雪崩能量
热门
T- MAX
或TO- 264
包
FREDFET
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT12080B2VFR_LVFR
单位
伏
安培
1200
16
64
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
16
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1200
0.800
250
1000
(V
GS
= 10V ，我
D
= 8A)
欧
A
050-5840修订版A
2-2006
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1200, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 960V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
=
2.5mA)
±100
2
4
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT12080B2VFR_LVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
6500
530
250
325
29
145
16
12
59
12
7800
740
375
485
45
215
32
24
90
24
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
16
64
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
350
700
2
6
12
22
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 19.53mH ， R = 25Ω ，峰值I = 16A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5
I
≤
我[续]
di
/
= 100A / μs的，T
≤
150℃ ，R = 2.0Ω V = 200V 。
S
D
j
G
R
dt
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
050-5840修订版A 2-2006
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
典型性能曲线
30
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 5V ， 6V ， 7V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
30
APT12080B2VFR_LVFR
VGS = 5V ， 6V ， 7V ， 10V 15V &
24
24
18
18
4.5V
12
4.5V
12
6
6
4V
0
120
240
360
480
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
4V
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
50
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.25
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
40
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
VGS=10V
VGS=20V
30
20
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
10
TJ = + 25°C
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
16
I
D
，漏极电流（安培）
0
0
8
16
24
32
40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
12
1.10
1.05
8
1.00
4
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.90
-50
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
= 10V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
050-5840修订版A 2-2006
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
100
I
D
，漏极电流（安培）
30,000
10S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
APT12080B2VFR_LVFR
50
100S
10,000
C，电容（pF ）
西塞
10
5
5,000
1mS
10mS
1,000
500
科斯
CRSS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
.1
1
5 10
50 100
500 1200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
16
VDS=120V
12
VDS=240V
10
5
8
VDS=600V
1
.5
4
100
200
300
400
500
600
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
050-5840修订版A 2-2006
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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