APT12060B2VFR
APT12060LVFR
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
1200V 20A 0.600
TO-264
更快的开关
低漏
额定雪崩能量
FREDFET
D
G
S
热门
T- MAX
或TO- 264
包
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT12060B2VFR_LVFR
单位
伏
安培
1200
20
80
±30
±40
625
5.00
-55到150
300
20
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1200
0.600
250
1000
(V
GS
= 10V ，我
D
= 10A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1200, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 960V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
2
4
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-5845修订版A
4-2004
±100
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT12060B2VFR _ LVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
7545
650
350
431
34
210
13
12
63
12
9500
980
490
650
41
320
26
24
95
25
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
20
80
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
dt
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
320
650
3
9
15
25
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 15MH ，R
j
G
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
= 25Ω ，峰值I
L
= 20A
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5
I
≤
我[续]
di
/
= 100A / μs的，T
≤
150℃ ，R = 2.0Ω V = 200V 。
S
D
j
G
R
dt
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.2
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
0.01
0.005
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5845修订版A
4-2004
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
30
25
20
15
10
5
0
VGS = 15 &10V
APT12060B2VFR_LVFR
5V
4.5V
图中删除
4V
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，高电压输出特性
60
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.2
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
50
40
30
20
10
0
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
VGS=20V
VGS=10V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
20
18
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.2
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
5
10 15 20
25 30 35 40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
-50
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
= 10V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
050-5845修订版A
4-2004
80
I
D
，漏极电流（安培）
50
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
40,000
100S
C，电容（pF ）
APT12060B2VFR_LVFR
10,000
5,000
西塞
10
5
1mS
1,000
500
科斯
1
5 10
50 100
500 1200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
CRSS
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
12
10
8
6
4
2
0
I = I [续]
D
D
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
5
VDS=100V
VDS=250V
VDS=400V
100
200
300
400
500
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
1
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
4-2004
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
050-5845修订版A
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT12060B2VFR
APT12060LVFR
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
1200V 20A 0.600
TO-264
更快的开关
低漏
额定雪崩能量
FREDFET
D
G
S
热门
T- MAX
或TO- 264
包
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT12060B2VFR_LVFR
单位
伏
安培
1200
20
80
±30
±40
625
5.00
-55到150
300
20
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1200
0.600
250
1000
(V
GS
= 10V ，我
D
= 10A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1200, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 960V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
2
4
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-5845修订版A
4-2004
±100
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT12060B2VFR _ LVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
7545
650
350
431
34
210
13
12
63
12
9500
980
490
650
41
320
26
24
95
25
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
20
80
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
dt
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
320
650
3
9
15
25
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 15MH ，R
j
G
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
= 25Ω ，峰值I
L
= 20A
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5
I
≤
我[续]
di
/
= 100A / μs的，T
≤
150℃ ，R = 2.0Ω V = 200V 。
S
D
j
G
R
dt
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.2
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
0.01
0.005
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5845修订版A
4-2004
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
30
25
20
15
10
5
0
VGS = 15 &10V
APT12060B2VFR_LVFR
5V
4.5V
图中删除
4V
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，高电压输出特性
60
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.2
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
50
40
30
20
10
0
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
VGS=20V
VGS=10V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
20
18
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.2
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
5
10 15 20
25 30 35 40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
-50
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
= 10V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
050-5845修订版A
4-2004
80
I
D
，漏极电流（安培）
50
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
40,000
100S
C，电容（pF ）
APT12060B2VFR_LVFR
10,000
5,000
西塞
10
5
1mS
1,000
500
科斯
1
5 10
50 100
500 1200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
CRSS
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
12
10
8
6
4
2
0
I = I [续]
D
D
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
5
VDS=100V
VDS=250V
VDS=400V
100
200
300
400
500
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
1
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
4-2004
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
050-5845修订版A
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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