APT12057B2FLL
APT12057LFLL
功率MOS 7
1200V 22A 0.570
B2FLL
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T- MAX
TO-264
LFLL
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT12057B2FLL_LFLL
单位
伏
安培
1200
22
88
±30
±40
690
5.52
-55到150
300
22
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1200
0.570
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V ， 11A ）
欧
A
nA
伏
7-2004
050-7083版本C
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 960V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT12057 B2FLL_LFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 600V
I
D
= 22A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 600V
I
D
= 22A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 800V, V
GS
= 15V
I
D
= 22A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 800V V
GS
= 15V
I
D
= 22A ，R
G
= 5
R
G
= 0.6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
5155
770
130
185
24
120
11
20
36
21
865
420
1390
530
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
6
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
22
88
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -22A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
320
650
18
7
28
220
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.20
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 12.39mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 22A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
22A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1200
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.16
0.9
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7083版本C
7-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
APT12057 B2FLL_LFLL
VGS = 15,10 & 8V
7V
6.5V
0.0272
0.0090F
动力
（瓦特）
0.0565
0.0202F
6V
0.0860
外壳温度。 （ ° C）
0.293F
5.5V
5V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
归一
= 10V @ I = 11A
D
80
I
D
，漏极电流（安培）
70
60
50
40
30
20
10
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
GS
1.30
1.20
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
VGS=10V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
10
15
20
25
30
35
40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
5
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
I
D
，漏极电流（安培）
20
15
10
5
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
0
25
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50 -25
050-7083版本C
7-2004
88
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
C，电容（pF ）
APT12057 B2FLL_LFLL
I
D
，漏极电流（安培）
5,000
西塞
10
5
100S
1,000
500
科斯
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
CRSS
1
10
100
1200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
10mS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 22A
200
100
12
VDS=100V
VDS=250V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS=400V
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
R
= 5
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
70
V
DD
G
1
t
D（关闭）
60
50
V
DD
G
= 800V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
f
t
r
和T
f
（纳秒）
100
80
60
40
20
0
10
= 800V
T = 125°C
J
40
30
20
t
r
10
L = 100μH
t
D（上）
20
30
40
50
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
DD
G
3500
3000
开关能量（ μJ ）
V
= 800V
30
40
50
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
4000
V
I
DD
0
10
20
= 800V
R
= 5
T = 125°C
J
3500
开关能量（ μJ ）
D
J
= 22A
T = 125°C
L = 100μH
E
关闭
2500
2000
1500
1000
500
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
E
on
7-2004
E
关闭
050-7083版本C
30
40
50
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
典型性能曲线
90%
APT12057 B2FLL_LFLL
栅极电压
10%
T
J
125°C
t
D（关闭）
t
f
栅极电压
T
J
125°C
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
开关能量
漏极电压
漏极电压
90%
10%
0
5%
漏电流
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF120
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7083版本C
7-2004
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
门
漏
来源
APT12057B2FLL
APT12057LFLL
功率MOS 7
1200V 22A 0.570
B2FLL
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T- MAX
TO-264
LFLL
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT12057B2FLL_LFLL
单位
伏
安培
1200
22
88
±30
±40
690
5.52
-55到150
300
22
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1200
0.570
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V ， 11A ）
欧
A
nA
伏
7-2004
050-7083版本C
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 960V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT12057 B2FLL_LFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 600V
I
D
= 22A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 600V
I
D
= 22A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 800V, V
GS
= 15V
I
D
= 22A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 800V V
GS
= 15V
I
D
= 22A ，R
G
= 5
R
G
= 0.6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
5155
770
130
185
24
120
11
20
36
21
865
420
1390
530
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
6
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
22
88
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -22A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
320
650
18
7
28
220
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.20
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 12.39mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 22A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
22A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1200
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.16
0.9
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7083版本C
7-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
APT12057 B2FLL_LFLL
VGS = 15,10 & 8V
7V
6.5V
0.0272
0.0090F
动力
（瓦特）
0.0565
0.0202F
6V
0.0860
外壳温度。 （ ° C）
0.293F
5.5V
5V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
归一
= 10V @ I = 11A
D
80
I
D
，漏极电流（安培）
70
60
50
40
30
20
10
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
GS
1.30
1.20
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
VGS=10V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
10
15
20
25
30
35
40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
5
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
I
D
，漏极电流（安培）
20
15
10
5
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
0
25
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50 -25
050-7083版本C
7-2004
88
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
C，电容（pF ）
APT12057 B2FLL_LFLL
I
D
，漏极电流（安培）
5,000
西塞
10
5
100S
1,000
500
科斯
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
CRSS
1
10
100
1200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
10mS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 22A
200
100
12
VDS=100V
VDS=250V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS=400V
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
R
= 5
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
70
V
DD
G
1
t
D（关闭）
60
50
V
DD
G
= 800V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
f
t
r
和T
f
（纳秒）
100
80
60
40
20
0
10
= 800V
T = 125°C
J
40
30
20
t
r
10
L = 100μH
t
D（上）
20
30
40
50
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
DD
G
3500
3000
开关能量（ μJ ）
V
= 800V
30
40
50
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
4000
V
I
DD
0
10
20
= 800V
R
= 5
T = 125°C
J
3500
开关能量（ μJ ）
D
J
= 22A
T = 125°C
L = 100μH
E
关闭
2500
2000
1500
1000
500
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
E
on
7-2004
E
关闭
050-7083版本C
30
40
50
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
典型性能曲线
90%
APT12057 B2FLL_LFLL
栅极电压
10%
T
J
125°C
t
D（关闭）
t
f
栅极电压
T
J
125°C
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
开关能量
漏极电压
漏极电压
90%
10%
0
5%
漏电流
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF120
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7083版本C
7-2004
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
门
漏
来源
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