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APT1204R7KLL
1200V 3.5A 4.70
功率MOS 7
R
MOSFET
TO-220
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
G
D
S
更高的功耗
容易驾驶
TO- 220封装
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1204R7KLL
单位
安培
1200
3.5
14
±30
±40
135
1.08
-55到150
300
3.5
10
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
425
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
典型值
最大
单位
安培
1200
3.5
4.70
100
500
±100
3
5
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
A
nA
8-2002
050-7120修订版A
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT1204R7KLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6
典型值
最大
单位
716
132
36
31
4
21
7
2
20
24
900
200
60
50
5
40
14
4
30
50
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
dv
/
rr
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
典型值
最大
单位
安培
ns
C
3.5
14
1.3
400
2.5
10
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.90
40
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380 μS ,占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 69.39mH , R = 25Ω ,峰值I = 3.5A
j
G
L
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性,而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
[
续。
]二
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.9
D=0.5
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.005
单脉冲
注意:
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7120修订版A
8-2002
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
10
典型性能曲线
8
I
D
,漏极电流(安培)
APT1204R7KLL
7
6
5
4
3
2
5.5V
1
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
VGS = 15,10 & 8V
7V
6.5V
图中删除
6V
5V
图2 ,高电压输出特性
10
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
1.40
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
I
D
,漏极电流(安培)
8
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
6
4
TJ = -55°C
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
0
1
2
3
4
5
6
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
1.15
I
D
,漏极电流(安培)
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
25
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
1.1
1.0
0.9
0.8
1.5
1.0
0.5
0.7
0.6
0.0
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
-50 -25
050-7120修订版A
8-2002
APT1204R7KLL
14
10
I
D
,漏极电流(安培)
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
3,000
100S
1,000
西塞
C,电容(pF )
5
500
1mS
100
50
科斯
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
CRSS
0.5
10mS
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
I
DR
,反向漏电流(安培)
1
10
100
1200
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
16
I = I [续]
D
D
100
50
12
VDS=100V
VDS=250V
TJ = + 150°C
10
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
TJ = + 25°C
8
VDS=400V
4
10 15 20 25 30 35 40 45
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
5
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
1
TO- 220AC封装外形
1.39 (.055)
0.51 (.020)
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
6.85 (.270)
5.85 (.230)
16.51 (.650)
14.23 (.560)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
4.08 ( 0.161 )直径。
3.54 (.139)
6.35 (.250)
马克斯。
14.73 (.580)
12.70 (.500)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
来源
8-2002
2.92 (.115)
2.04 (.080)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
1.01 ( 0.040 ), 3 -的PLC。
0.38 (.015)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
1.77 ( 0.070 ), 3 -的PLC。
1.15 (.045)
050-7120修订版A
尺寸以毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个:
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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APT
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