APT11N80KC3
800V 11A 0.450
超级结MOSFET
TO-220
OLMOS
O
功率半导体
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
TO- 220封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
G
D
S
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT11N80KC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
800
11
33
±20
±30
156
1.25
-55到150
260
50
11
0.2
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 640V ，我
D
= 11A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
470
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.39
0.5
0.45
20
200
±100
2.1
3
3.9
(V
GS
= 10V ，我
D
= 7.1A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 680A)
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7135修订版A
4-2004
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT11N80KC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 11A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 11A @ 25°C
R
G
= 7.5
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 11A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V V
GS
= 15V
I
D
= 11A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
1585
770
18
60
8
30
25
15
70
7
165
50
305
65
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
80
10
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
11
33
1
550
10
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
11A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
=
11A
， DL
S
/ DT = -100A / μs的，V
R
= 640V)
反向恢复电荷（我
S
=
11A
， DL
S
/ DT = -100A / μs的，V
R
= 640V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.80
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.90
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 194mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 2.2A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
11A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.9
0.7
4-2004
0.3
050-7135修订版A
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
30
I
D
，漏极电流（安培）
APT11N80KC3
25
20
15
10
5
0
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.345
动力
（瓦特）
0.455
外壳温度
0.101
0.00375
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
45
40
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
归一
V
= 10V @ 5.5A
GS
1.30
1.20
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
35
30
25
20
15
10
5
0
0 1 2
3 4
5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
12
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VGS=10V
0
4
8
12
16
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
20
1.15
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
D
，漏极电流（安培）
10
8
6
4
2
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
50
75
100
125
150
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3.0
I
D
= 5.5A
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
4-2004
V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
= 10V
-25
0
25
50
75
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7135修订版A
APT11N80KC3
33
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
西塞
100S
C，电容（pF ）
10
5
1,000
科斯
100
1
1mS
10mS
10
CRSS
1
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 11A
12
VDS = 160V
8
VDS = 400V
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
.1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
100
TJ = + 150°C
10
TJ = + 25°C
VDS = 640V
4
20
40
60
80
100
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
70
60
50
40
30
20
10
0
t
D（上）
t
D（关闭）
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
40
t
f
30
1
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
DD
G
= 533V
R
= 5
t
r
和T
f
（纳秒）
V
T = 125°C
J
DD
G
= 533V
L = 100μH
20
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
10
t
r
5
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
8
11
14
17
20
14
17
20
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
500
0
5
8
11
500
E
on
V
DD
G
= 533V
R
= 5
300
开关能量（ μJ ）
开关能量（ μJ ）
400
400
E
on
T = 125°C
J
300
L = 100μH
E
ON
包括
4-2004
200
二极管的反向恢复。
200
E
关闭
100
V
I
DD
= 533V
D
J
= 11A
100
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7135修订版A
E
关闭
14
17
20
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
5
8
11
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
APT11N80KC3
10%
t
D（上）
t
r
90%
栅极电压
T
J
= 125 C
90%
栅极电压
T
J
= 125 C
t
D（关闭）
集电极电流
t
f
集电极电压
90%
5%
10%
5%
集电极电压
0
10%
开关能量
集电极电流
开关能量
APT15DF60B
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 220AC封装外形
1.39 (.055)
0.51 (.020)
漏
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
6.85 (.270)
5.85 (.230)
16.51 (.650)
14.23 (.560)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
4.08 （ 0.161 ）直径。
3.54 (.139)
6.35 (.250)
马克斯。
14.73 (.580)
12.70 (.500)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
1.01 （ 0.040 ）， 3 -的PLC。
0.38 (.015)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
1.77 （ 0.070 ）， 3 -的PLC。
1.15 (.045)
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7135修订版A
4-2004
0.50 (.020)
0.41 (.016)
门
漏
来源
QQ：2881677436 复制
