APT1101R2BFLL
APT1101R2SFLL
1100V 10A 1.200
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1101R2BFLL_SFLL
单位
伏
安培
1100
10
40
±30
±40
298
2.38
-55到150
300
10
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1100
1.20
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V， 5A）
欧
A
nA
伏
2-2004
050-7185修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1100V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 880V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT1101R2BFLL_SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 550V
I
D
= 10A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 550V
I
D
= 10A @ 25°C
6
R
G
= 1.6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 733V, V
GS
= 15V
6
I
D
= 10A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 733V, V
GS
= 15V
I
D
= 10A ，R
G
= 5
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
1900
305
50
90
12
60
12
7
32
14
285
56
525
70
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
10
40
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -10A)
5
dv
/
t
rr
反向恢复时间
(I
S
= -10A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -10A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -10A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
210
710
.07
2.0
10
15
典型值
最大
Q
rr
I
RRM
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.42
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 24.20mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
ID
-
10A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1100
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.45
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.40
0.35
0.30
0.25
0.9
0.7
0.5
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.3
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7185修订版A
2-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
25
I
D
，漏极电流（安培）
APT1101R2BFLL_SFLL
VGS = 15 & 10V
20
7V
15
7.5V
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.164
动力
（瓦特）
0.257
外壳温度。 （ ° C）
0.125F
0.00592F
6.5V
10
6V
5
5.5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
0
图2 ，瞬态热阻抗模型
30
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.40
归一
= 10V @ 5A
V
GS
25
20
15
1.30
1.20
VGS=10V
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
1.10
10
5
TJ = + 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
0
4 6
8 10 12 14 16 18 20
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
2
10
9
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
8
7
6
5
4
3
2
1
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
0.90
3
2.5
2.0
1.5
= 5A
= 10V
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
050-7185修订版A
2-2004
GS
1.0
0.5
0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
APT1101R2BFLL_SFLL
40
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
I
D
，漏极电流（安培）
10
100S
5
C，电容（pF ）
西塞
1,000
科斯
100
CRSS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10
100
1100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
I
D
1mS
10mS
.1
= 10A
12
VDS = 220V
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
100
10
TJ = + 150°C
10
TJ = + 25°C
8
VDS = 550V
VDS = 880V
4
20
40
60
80
100 120 140
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
50
t
D（关闭）
40
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
DD
G
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
50
1
40
= 733V
30
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
30
V
DD
G
= 733V
t
f
T = 125°C
J
R
= 5
L = 100μH
T = 125°C
J
20
20
L = 100μH
10
t
D（上）
0
4
10
12
14
16
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
t
r
0
6
8
10
12
14
16
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
1000
E
on
开关能量（ μJ ）
4
6
8
1000
= 733V
R
= 5
800
开关能量（ μJ ）
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
800
600
600
400
400
V
2-2004
E
关闭
200
DD
= 733V
I
D
J
= 10A
200
E
关闭
0
10
12
14
16
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
4
6
8
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
050-7185修订版A
0
0
5
二极管的反向恢复。
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
典型性能曲线
APT1101R2BFLL_SFLL
栅极电压
90%
T = 125°C
J
10%
栅极电压
t
D（关闭）
DrainVoltage
T = 125°C
J
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
5%
DrainVoltage
开关能量
开关能量
90%
t
f
10%
漏电流
0
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7185修订版A
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
2-2004
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
APT1101R2BFLL
APT1101R2SFLL
1100V 10A 1.200
W
BFLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
TM
FREDFET
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
SFLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1101R2
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
1100
10
40
±30
±40
298
2.83
300
10
30
-55到150
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
1100
10
1.20
250
1000
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7185冯 - 4-2002
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT1101R2 BFLL - SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
pF
2170
329
62
80
11
50
12
7
35
15
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
5
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
为C n
TE TIO
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
10
40
1.3
18
210
710
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
.07
2.0
10
15
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.42
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 24.20mH ， R = 25Ω ，峰值I = 10A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
[
续。
]二
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
050-7185冯 - 4-2002
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APT1101R2BFLL
APT1101R2SFLL
1100V 10A 1.200
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1101R2BFLL_SFLL
单位
伏
安培
1100
10
40
±30
±40
298
2.38
-55到150
300
10
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1100
1.20
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V， 5A）
欧
A
nA
伏
2-2004
050-7185修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1100V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 880V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT1101R2BFLL_SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 550V
I
D
= 10A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 550V
I
D
= 10A @ 25°C
6
R
G
= 1.6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 733V, V
GS
= 15V
6
I
D
= 10A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 733V, V
GS
= 15V
I
D
= 10A ，R
G
= 5
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
1900
305
50
90
12
60
12
7
32
14
285
56
525
70
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
10
40
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -10A)
5
dv
/
t
rr
反向恢复时间
(I
S
= -10A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -10A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -10A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
210
710
.07
2.0
10
15
典型值
最大
Q
rr
I
RRM
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.42
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 24.20mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
ID
-
10A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1100
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.45
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.40
0.35
0.30
0.25
0.9
0.7
0.5
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.3
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7185修订版A
2-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
25
I
D
，漏极电流（安培）
APT1101R2BFLL_SFLL
VGS = 15 & 10V
20
7V
15
7.5V
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.164
动力
（瓦特）
0.257
外壳温度。 （ ° C）
0.125F
0.00592F
6.5V
10
6V
5
5.5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
0
图2 ，瞬态热阻抗模型
30
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.40
归一
= 10V @ 5A
V
GS
25
20
15
1.30
1.20
VGS=10V
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
1.10
10
5
TJ = + 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
0
4 6
8 10 12 14 16 18 20
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
2
10
9
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
8
7
6
5
4
3
2
1
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
0.90
3
2.5
2.0
1.5
= 5A
= 10V
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
050-7185修订版A
2-2004
GS
1.0
0.5
0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
APT1101R2BFLL_SFLL
40
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
I
D
，漏极电流（安培）
10
100S
5
C，电容（pF ）
西塞
1,000
科斯
100
CRSS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10
100
1100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
I
D
1mS
10mS
.1
= 10A
12
VDS = 220V
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
100
10
TJ = + 150°C
10
TJ = + 25°C
8
VDS = 550V
VDS = 880V
4
20
40
60
80
100 120 140
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
50
t
D（关闭）
40
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
DD
G
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
50
1
40
= 733V
30
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
30
V
DD
G
= 733V
t
f
T = 125°C
J
R
= 5
L = 100μH
T = 125°C
J
20
20
L = 100μH
10
t
D（上）
0
4
10
12
14
16
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
t
r
0
6
8
10
12
14
16
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
1000
E
on
开关能量（ μJ ）
4
6
8
1000
= 733V
R
= 5
800
开关能量（ μJ ）
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
800
600
600
400
400
V
2-2004
E
关闭
200
DD
= 733V
I
D
J
= 10A
200
E
关闭
0
10
12
14
16
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
4
6
8
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
050-7185修订版A
0
0
5
二极管的反向恢复。
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
典型性能曲线
APT1101R2BFLL_SFLL
栅极电压
90%
T = 125°C
J
10%
栅极电压
t
D（关闭）
DrainVoltage
T = 125°C
J
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
5%
DrainVoltage
开关能量
开关能量
90%
t
f
10%
漏电流
0
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7185修订版A
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
2-2004
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
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