APT10M07JVFR
100V 225A 0.007Ω
功率MOS V
FREDFET
G
S
D
S
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
SO
2
T-
27
"UL Recognized"
ISOTOP
快速恢复体二极管
低漏
更快的开关
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
100 ％雪崩测试
热门SOT- 227封装
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10M07JVFR
单位
伏
安培
100
225
900
±30
±40
700
5.6
-55到150
300
225
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
100
225
0.007
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
9-2004
050-5846修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10M07JVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
18000
6800
2800
700
130
300
25
60
80
20
21600
9500
4200
1050
195
435
50
120
120
40
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
225
900
1.3
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
150
250
0.9
2.5
12
20
250
500
热/封装特性
符号
R
θJC
R
θJA
V
隔离
力矩
特征
结到外壳
结到环境
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 142μH ，R
j
民
典型值
最大
单位
° C / W
伏
0.18
40
2500
13
G
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
= 25Ω ，峰值I
L
= 225A
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.2
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
0.01
0.005
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5846修订版A
9-2004
0.001
0.0005
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
APT10M07JVFR
360
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 7V ， 8V ， 9V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
360
6.5V
300
240
180
120
60
0
VGS=15V
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
300
240
6V
180
120
60
0
5.5V
5.5V
5V
4.5V
5V
4.5V
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
360
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
1.10
V
GS
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
300
240
180
120
60
0
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
VGS=10V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
VGS=20V
0
100
200
300
400
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
250
I
D
，漏极电流（安培）
200
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
150
1.05
100
1.00
50
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.90
-50
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
= 10V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
050-5846修订版A
9-2004
APT10M07JVFR
1,000
I
D
，漏极电流（安培）
500
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
50,000
西塞
C，电容（pF ）
100
50
1mS
科斯
10,000
CRSS
5,000
10mS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
1
5
10
50
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
1,000
20
I = 100A
D
500
16
VDS=20V
VDS=50V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=80V
8
10
5
4
200 400 600 800 1000 1200 1400
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
9-2004
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
门
050-5846修订版A
"UL Recognized"文件号E145592
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT10M07JVFR
100V 225A 0.007Ω
功率MOS V
FREDFET
G
S
D
S
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
SO
2
T-
27
"UL Recognized"
ISOTOP
快速恢复体二极管
低漏
更快的开关
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
100 ％雪崩测试
热门SOT- 227封装
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10M07JVFR
单位
伏
安培
100
225
900
±30
±40
700
5.6
-55到150
300
225
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
100
225
0.007
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
9-2004
050-5846修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10M07JVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
18000
6800
2800
700
130
300
25
60
80
20
21600
9500
4200
1050
195
435
50
120
120
40
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
225
900
1.3
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
150
250
0.9
2.5
12
20
250
500
热/封装特性
符号
R
θJC
R
θJA
V
隔离
力矩
特征
结到外壳
结到环境
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 142μH ，R
j
民
典型值
最大
单位
° C / W
伏
0.18
40
2500
13
G
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
= 25Ω ，峰值I
L
= 225A
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.2
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
0.01
0.005
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5846修订版A
9-2004
0.001
0.0005
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
APT10M07JVFR
360
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 7V ， 8V ， 9V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
360
6.5V
300
240
180
120
60
0
VGS=15V
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
300
240
6V
180
120
60
0
5.5V
5.5V
5V
4.5V
5V
4.5V
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
360
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
1.10
V
GS
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
300
240
180
120
60
0
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
VGS=10V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
VGS=20V
0
100
200
300
400
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
250
I
D
，漏极电流（安培）
200
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
150
1.05
100
1.00
50
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.90
-50
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
= 10V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
050-5846修订版A
9-2004
APT10M07JVFR
1,000
I
D
，漏极电流（安培）
500
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
50,000
西塞
C，电容（pF ）
100
50
1mS
科斯
10,000
CRSS
5,000
10mS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
1
5
10
50
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
1,000
20
I = 100A
D
500
16
VDS=20V
VDS=50V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=80V
8
10
5
4
200 400 600 800 1000 1200 1400
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
9-2004
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
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APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
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