D
TO-220
G
S
APT1004RKN
APT1004R2KN
1000V 3.6A 4.00
1000V 3.5A 4.20
功率MOS IV
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
最大额定值
符号参数
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 ° C，减免以上25℃
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1004R2KN
1000
3.5
14.0
±30
125
-55到150
APT1004RKN
1000
3.6
14.4
单位
伏
安培
安培
伏
瓦
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储结温范围
静态电气特性
符号特性/测试条件/型号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
I
D
（上）
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
在国家漏极电流
2
民
APT1004RKN
APT1004R2KN
典型值
最大
单位
伏
伏
1000
1000
250
1000
±100
A
nA
安培
安培
APT1004RKN
APT1004R2KN
3.6
3.5
2
4
4.00
4.20
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 10V)
2
V
GS
（ TH ）栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
R
DS
（上）
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D
[续] ）
APT1004RKN
APT1004R2KN
伏
欧
欧
热特性
符号特性
R
θJC
R
θJA
T
L
结到外壳
结到环境
马克斯。铅温度。用于焊接条件： 0.063"案件从10秒。
民
典型值
最大
单位
° C / W
° C / W
°C
1.00
80
300
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
050-0036版本C
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT1004R/1004R2KN
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
民
典型值
最大
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
805
115
37
35
950
160
60
55
6.5
27
20
18
48
46
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
GS
= 10V ，我
D
= I
D
[续]
V
DD
= 0.5 V
DSS
4.3
18
10
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] ，V
GS
= 15V
R
G
= 1.8
9
32
23
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号特性/测试条件/型号
APT1004RKN
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
民
典型值
最大
单位
3.6
3.5
14.4
14.0
1.3
150
0.8
290
1.65
580
3.3
安培
安培
安培
安培
伏
ns
C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
APT1004R2KN
APT1004RKN
APT1004R2KN
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
2
反向恢复时间（I
S
= -I
D
[续] ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷
Q
rr
安全工作区特性
符号特性
SOA1
SOA2
I
LM
安全工作区
安全工作区
感应电流钳位
测试条件/型号
V
DS
= 0.4 V
DSS
, I
DS
= P
D
/ 0.4 V
DSS
， t为1秒。
I
DS
= I
D
[续]
民
典型值
最大
单位
瓦
瓦
安培
安培
125
125
14.4
14.0
V
D
S
= P
D
/ I
D
[续] ，T = 1秒。
APT1004RKN
APT1004R2KN
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1.0
，热阻抗（ ℃/ W）
0.5
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-0036版本C
Z
θ
JC
0.004
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
QQ：2881677436 复制
