APT1003RKLL
1000V 4A 3.00
功率MOS 7
R
MOSFET
TO-220
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
G
D
S
更高的功耗
容易驾驶
TO- 220封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1003RKLL
单位
伏
安培
1000
4
16
±30
±40
139
1.11
-55到150
300
4
10
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
425
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1000
3.00
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ， 2A ）
欧
A
nA
伏
1-2004
050-7118修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT1003RKLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 4A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 4A @ 25°C
R
G
= 1.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 4A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 4A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
694
135
25
34
5
22
8
4
25
10
13
42
40
48
J
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
4
16
1.3
560
3.2
10
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
4A
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D
4A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D
4A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.90
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 53.13mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 4A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
4A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1.0
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.80
0.9
0.7
0.60
0.5
0.40
0.3
0.20
0.1
0.05
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
1.0
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7118修订版A
1-2004
典型性能曲线
10
VGS = 15 & 10V
I
D
，漏极电流（安培）
APT1003RKLL
7.5V
7V
6.5V
8
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.386
动力
（瓦特）
0.508
外壳温度。 （ ° C）
0.0903F
0.00336F
6
6V
4
5.5V
2
5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
0
图2 ，瞬态热阻抗模型
16
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.40
归一
V
= 10V @ 2A
GS
14
12
10
8
6
4
2
1.30
VGS=10V
1.20
TJ = -55°C
1.10
VGS=20V
TJ = + 25°C
1.00
0.90
0.80
TJ = + 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
2 3
4 5 6
7
8 9 10
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
1
4
3.5
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
1.10
1.05
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 2A
= 10V
GS
2.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
1.5
0.9
1.0
0.5
0.7
0.6
-50
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7118修订版A
1-2004
0.8
APT1003RKLL
16
10
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
4,000
5
100S
C，电容（pF ）
1,000
西塞
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
I
D
100
科斯
1mS
10mS
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
100
10
.1
= 4A
12
VDS = 200V
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
8
VDS = 500V
VDS = 800V
10
4
10 15 20 25 30 35 40 45 50
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
25
t
D（关闭）
20
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
0
0
5
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
70
60
50
V
DD
G
1
= 667V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
V
DD
G
= 667V
15
R
= 5
t
r
和T
f
（纳秒）
T = 125°C
J
40
30
20
t
f
L = 100μH
10
5
t
D（上）
0
0
4
5
6
7
8
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
0
t
r
0
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
140
120
开关能量（ μJ ）
V
I
DD
90
80
开关能量（ μJ ）
= 667V
= 667V
R
= 5
D
J
= 4A
T = 125°C
J
70
60
50
40
30
20
10
0
E
关闭
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
100
80
60
40
20
0
E
关闭
1-2004
E
on
050-7118修订版A
4
5
6
7
8
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
1
2
3
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
典型性能曲线
APT1003RKLL
10%
栅极电压
牛逼125°C
J
90%
栅极电压
牛逼125°C
J
t
D（上）
漏电流
t
D（关闭）
漏极电压
t
r
5%
90%
10%
开关能量
5%
漏极电压
90%
10%
0
t
f
开关能量
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 220AC封装外形
1.39 (.055)
0.51 (.020)
漏
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
6.85 (.270)
5.85 (.230)
16.51 (.650)
14.23 (.560)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
4.08 （ 0.161 ）直径。
3.54 (.139)
6.35 (.250)
马克斯。
14.73 (.580)
12.70 (.500)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
门
1.01 （ 0.040 ）， 3 -的PLC。
0.38 (.015)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
1.77 （ 0.070 ）， 3 -的PLC。
1.15 (.045)
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7118修订版A
1-2004
漏
来源
APT1003RKLL
1000V 4A 3.00
功率MOS 7
R
MOSFET
TO-220
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
G
D
S
更高的功耗
容易驾驶
TO- 220封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1003RKLL
单位
伏
安培
1000
4
16
±30
±40
139
1.11
-55到150
300
4
10
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
425
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1000
3.00
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ， 2A ）
欧
A
nA
伏
1-2004
050-7118修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT1003RKLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 4A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 4A @ 25°C
R
G
= 1.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 4A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 4A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
694
135
25
34
5
22
8
4
25
10
13
42
40
48
J
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
4
16
1.3
560
3.2
10
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
4A
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D
4A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D
4A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.90
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 53.13mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 4A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
4A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1.0
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.80
0.9
0.7
0.60
0.5
0.40
0.3
0.20
0.1
0.05
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
1.0
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7118修订版A
1-2004
典型性能曲线
10
VGS = 15 & 10V
I
D
，漏极电流（安培）
APT1003RKLL
7.5V
7V
6.5V
8
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.386
动力
（瓦特）
0.508
外壳温度。 （ ° C）
0.0903F
0.00336F
6
6V
4
5.5V
2
5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
0
图2 ，瞬态热阻抗模型
16
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.40
归一
V
= 10V @ 2A
GS
14
12
10
8
6
4
2
1.30
VGS=10V
1.20
TJ = -55°C
1.10
VGS=20V
TJ = + 25°C
1.00
0.90
0.80
TJ = + 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
2 3
4 5 6
7
8 9 10
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
1
4
3.5
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
1.10
1.05
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 2A
= 10V
GS
2.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
1.5
0.9
1.0
0.5
0.7
0.6
-50
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7118修订版A
1-2004
0.8
APT1003RKLL
16
10
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
4,000
5
100S
C，电容（pF ）
1,000
西塞
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
I
D
100
科斯
1mS
10mS
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
100
10
.1
= 4A
12
VDS = 200V
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
8
VDS = 500V
VDS = 800V
10
4
10 15 20 25 30 35 40 45 50
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
25
t
D（关闭）
20
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
0
0
5
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
70
60
50
V
DD
G
1
= 667V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
V
DD
G
= 667V
15
R
= 5
t
r
和T
f
（纳秒）
T = 125°C
J
40
30
20
t
f
L = 100μH
10
5
t
D（上）
0
0
4
5
6
7
8
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
0
t
r
0
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
140
120
开关能量（ μJ ）
V
I
DD
90
80
开关能量（ μJ ）
= 667V
= 667V
R
= 5
D
J
= 4A
T = 125°C
J
70
60
50
40
30
20
10
0
E
关闭
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
100
80
60
40
20
0
E
关闭
1-2004
E
on
050-7118修订版A
4
5
6
7
8
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
1
2
3
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
典型性能曲线
APT1003RKLL
10%
栅极电压
牛逼125°C
J
90%
栅极电压
牛逼125°C
J
t
D（上）
漏电流
t
D（关闭）
漏极电压
t
r
5%
90%
10%
开关能量
5%
漏极电压
90%
10%
0
t
f
开关能量
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 220AC封装外形
1.39 (.055)
0.51 (.020)
漏
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
6.85 (.270)
5.85 (.230)
16.51 (.650)
14.23 (.560)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
4.08 （ 0.161 ）直径。
3.54 (.139)
6.35 (.250)
马克斯。
14.73 (.580)
12.70 (.500)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
门
1.01 （ 0.040 ）， 3 -的PLC。
0.38 (.015)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
1.77 （ 0.070 ）， 3 -的PLC。
1.15 (.045)
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7118修订版A
1-2004
漏
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