APT10030L2VFR
1000V 33A 0.300
W
功率MOS V
V
FREDFET
TO-264
最大
功率MOS
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
TO- 264
最大
包
低漏
快速恢复体二极管
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
更快的开关
100 ％雪崩测试
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10030L2VFR
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
1000
33
132
±30
±40
830
6.67
300
33
50
-55到150
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
1000
33
0.300
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5994 REV- 9-2001
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10030L2VFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
10600
1010
520
600
41
19
25
90
12
275
nC
栅极 - 源电荷
导通延迟时间
上升时间
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
5
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
33
132
1.3
5
310
625
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.0
6.0
15
26
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
C
安培
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.15
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 5.88mH ， R = 25W ，峰值I = 33A
j
G
L
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
050-5994 REV- 9-2001
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APT10030L2VFR
1000V
33A
0.300
功率MOS V
FREDFET
功率MOS
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
V
TO-264
最大
TO- 264
最大
包
更快的开关
低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
额定雪崩能量
快速恢复体二极管
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10030L2VFR
单位
伏
安培
1000
33
132
±30
±40
833
6.66
-55到150
300
33
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1000
0.300
250
1000
±100
2
4
(V
GS
= 10V ，我
D
= 16.5A)
欧
A
nA
伏
5-2004
050-5994修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10030L2VFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 33A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 33A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
10600
1000
500
585
55
265
14
16
75
14
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
33
132
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -33A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -33A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -33A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -33A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
310
625
2.0
6.0
15
26
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.15
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 5.88mH ， R = 25Ω ，峰值I = 33A
j
G
L
dv
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
5
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
33A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1000V
TJ
≤
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.14
0.12
0.9
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
0.5
注意：
PDM
5-2004
t1
t2
050-5994修订版B
单脉冲
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
80
70
60
50
40
30
VGS = 15 ，10， 6.5 & 6V
APT10030L2VFR
5.5V
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0545
动力
（瓦特）
0.0957
外壳温度。 （ ° C）
0.922F
0.0487F
5V
4.5V
20
10
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
GS
0
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
120
I
D
，漏极电流（安培）
100
80
60
40
20
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ 16.5A
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VGS=20V
0
35
30
25
20
15
10
5
0
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
10
20
30
40
50
60
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 16.5A
V
GS
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-5994修订版B
5-2004
132
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
100S
C，电容（pF ）
APT10030L2VFR
西塞
50
10,000
10
1mS
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1,000
科斯
CRSS
10mS
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 33A
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
12
VDS = 200V
8
VDS = 500V
4
VDS = 800V
10
TJ = + 25°C
100 200 300 400 500 600 700 800
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
1
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5-2004
19.81 (.780)
21.39 (.842)
门
漏
来源
050-5994修订版B
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2881677436 复制
