D
TO-254
G
S
APT1002RCN 1000V 5.5A 2.00
TM
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1002RCN
单位
伏
安培
1000
5.5
22
±30
150
1.2
-55到150
300
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
（上）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
1000
5.5
2.00
250
1000
±100
2
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
4
安全工作区特性
符号
SOA1
SOA2
I
LM
特征
安全工作区
安全工作区
感应电流钳位
测试条件
V
DS
= 0.4 V
DSS
, I
DS
= P
D
/ 0.4 V
DSS
， t为1秒。
I
DS
= I
D
[续] ，V
DS
= P
D
/ I
D
[续] ，T = 1秒。
民
典型值
最大
单位
瓦
150
150
5.5
安培
050-0015版本C
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
DC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
漏到外壳电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 1.8
民
典型值
APT1002RCN
最大
单位
15
1530
230
80
66
6.2
36
14
13
53
17
22
1800
pF
325
120
105
9.5
54
28
26
ns
79
nC
34
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
5.5
22
1.3
450
2.5
900
5
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
反向恢复时间（I
S
= -I
D
[续] ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D
[续] ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
1
2
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
W / ℃，
0.80
50
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1.0
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.5
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.005
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-0015版本C
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT1002RCN
8
VGS = 5.5 ， 6 & 10V
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
8
VGS=10V
6V
6
5.5V
6
4
5V
4
5V
2
4.5V
2
4.5V
4V
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
16
TJ = -55°C
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
230μ秒。脉冲测试
0
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
2.5
中T = 25℃
J
0
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
2.0
2μ SEC 。脉冲测试
归一
V
= 10V @ 0.5 I [续]
GS
D
12
1.5
VGS=10V
VGS=20V
8
1.0
4
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
0.5
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
6
I
D
，漏极电流（安培）
5
0.0
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I = 0.5 I [续]
D
D
GS
1.2
1.1
4
1.0
3
0.9
2
1
0.8
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
V
= 10V
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.4
0.7
-50
2.0
1.2
1.5
1.0
1.0
0.8
0.5
0.6
050-0015版本C
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.4
-50
QQ：2880707522 复制
