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APT10026L2LL
1000V 38A 0.260
功率MOS 7
R
MOSFET
TO-264
最大
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
更高的功耗
容易驾驶
热门TO- 264
最大
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10026L2LL
单位
安培
1000
38
152
±30
±40
893
7.14
-55到150
300
38
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
典型值
最大
单位
1000
0.260
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V , 19A )
A
nA
12-2003
050-7024修订版B
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10026L2LL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 38A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 38A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 38A ,R
G
= 3
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 38A ,R
G
= 3
典型值
最大
单位
7114
1268
224
267
34
173
17
8
39
9
1196
713
2014
971
J
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
典型值
最大
单位
安培
ns
C
38
152
1.3
1182
31.9
10
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -
38A
)
反向恢复时间(I
S
= -
38A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -
38A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.14
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 4.43mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 38A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性,而不是
设备本身。
IS
-
38A
di
/
dt
700A/s
VR
1000V
TJ
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18,20 。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.16
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.14
0.9
0.12
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.7
0.5
注意:
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7024修订版B
12-2003
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
90
80
I
D
,漏极电流(安培)
APT10026L2LL
15 &10V
7.5V
7V
70
60
50
40
6V
30
20
5.5V
10
0
5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
1.4
V
GS
遥控模型
连接点
TEMP 。 ( ° C)
0.0509
动力
(瓦特)
0.0894
外壳温度。 ( ° C)
0.988F
0.0522F
6.5V
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
图2 ,瞬态热阻抗模型
120
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
归一
= 10V @ I = 19A
D
I
D
,漏极电流(安培)
100
80
1.3
1.2
VGS=10V
1.1
TJ = -55°C
60
40
TJ = + 25°C
1.0
VGS=20V
0.9
0.8
20
TJ = + 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
40
35
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS ( ON)
VS漏电流
1.15
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
I
V
D
I
D
,漏极电流(安培)
1.10
30
25
20
15
10
5
0
25
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 19A
= 10V
GS
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
2.0
V
GS ( TH)
阈值电压
(归一化)
1.1
1.0
0.9
0.8
1.5
1.0
0.5
0.7
0.6
-50
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8中,R
DS ( ON)
与温度的关系
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
-25
050-7024修订版B
12-2003
APT10026L2LL
152
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
30,000
I
D
,漏极电流(安培)
50
100S
C,电容(pF )
10,000
西塞
10
1mS
1,000
科斯
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
200
I
DR
,反向漏电流(安培)
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
16
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
I
D
100
= 38A
100
12
VDS = 200V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
8
VDS = 500V
VDS = 800V
10
4
100 150 200 250 300 350 400
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
V
0
0
50
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
100
V
DD
G
t
D(关闭)
80
DD
G
= 667V
R
= 3
T = 125°C
J
L = 100μH
= 667V
t
f
t
r
和T
f
(纳秒)
100
80
60
40
20
0
R
= 3
60
T = 125°C
J
L = 100μH
40
20
t
D(上)
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
t
r
4000
3500
开关能量( μJ )
V
DD
G
= 667V
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
10000
V
I
DD
= 667V
R
= 3
D
J
= 38A
E
关闭
T = 125°C
J
开关能量( μJ )
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
8000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
6000
4000
E
on
2000
12-2003
E
关闭
050-7024修订版B
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻
0
5
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
典型性能曲线
10%
90%
APT10026L2LL
T = 125°C
J
t
D(上)
t
D(关闭)
90%
t
r
90%
10%
t
f
5%
10%
5%
开关能量
开关能量
0
图18 ,导通开关波形和定义
图19 ,关断开关波形和定义
APT30DF120
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ,电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
( L2 )封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.45 ( 0.215 ) BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米(英寸)
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7024修订版B
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
12-2003
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
APT10026L2LL_03
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