APT10026L2LL
1000V 38A 0.260
功率MOS 7
R
MOSFET
TO-264
最大
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
更高的功耗
容易驾驶
热门TO- 264
最大
包
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10026L2LL
单位
伏
安培
1000
38
152
±30
±40
893
7.14
-55到150
300
38
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1000
0.260
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ， 19A ）
欧
A
nA
伏
12-2003
050-7024修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10026L2LL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 38A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 38A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 38A ，R
G
= 3
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 667V, V
GS
= 15V
I
D
= 38A ，R
G
= 3
民
典型值
最大
单位
7114
1268
224
267
34
173
17
8
39
9
1196
713
2014
971
J
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
38
152
1.3
1182
31.9
10
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
38A
)
反向恢复时间（I
S
= -
38A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -
38A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.14
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 4.43mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 38A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
38A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1000V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.14
0.9
0.12
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.7
0.5
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7024修订版B
12-2003
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
90
80
I
D
，漏极电流（安培）
APT10026L2LL
15 &10V
7.5V
7V
70
60
50
40
6V
30
20
5.5V
10
0
5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.4
V
GS
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0509
动力
（瓦特）
0.0894
外壳温度。 （ ° C）
0.988F
0.0522F
6.5V
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
图2 ，瞬态热阻抗模型
120
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ I = 19A
D
I
D
，漏极电流（安培）
100
80
1.3
1.2
VGS=10V
1.1
TJ = -55°C
60
40
TJ = + 25°C
1.0
VGS=20V
0.9
0.8
20
TJ = + 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
40
35
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
1.15
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
30
25
20
15
10
5
0
25
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 19A
= 10V
GS
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
2.0
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
1.5
1.0
0.5
0.7
0.6
-50
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8中，R
DS （ ON）
与温度的关系
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
050-7024修订版B
12-2003
APT10026L2LL
152
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
I
D
，漏极电流（安培）
50
100S
C，电容（pF ）
10,000
西塞
10
1mS
1,000
科斯
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
100
= 38A
100
12
VDS = 200V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
8
VDS = 500V
VDS = 800V
10
4
100 150 200 250 300 350 400
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
0
0
50
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
100
V
DD
G
t
D（关闭）
80
DD
G
= 667V
R
= 3
T = 125°C
J
L = 100μH
= 667V
t
f
t
r
和T
f
（纳秒）
100
80
60
40
20
0
R
= 3
60
T = 125°C
J
L = 100μH
40
20
t
D（上）
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
t
r
4000
3500
开关能量（ μJ ）
V
DD
G
= 667V
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
10000
V
I
DD
= 667V
R
= 3
D
J
= 38A
E
关闭
T = 125°C
J
开关能量（ μJ ）
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
8000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
6000
4000
E
on
2000
12-2003
E
关闭
050-7024修订版B
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
典型性能曲线
10%
90%
APT10026L2LL
T = 125°C
J
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
t
r
90%
10%
t
f
5%
10%
5%
开关能量
开关能量
0
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF120
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7024修订版B
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
12-2003
门
漏
来源
QQ：2881677436 复制
