APT06DC60HJ

ISOTOP

碳化硅二极管

全桥电源模块

V

RRM

= 600V

I

C

= 6A @ T = 100℃

应用

开关模式电源整流器

感应加热

焊接设备

高速整流器

特点

SiC肖特基二极管

- 零反向恢复

- 零正向恢复

- 温度独立的开关行为

- 对VF正温度系数

ISOTOP

封装（ SOT- 227 ）

极低的杂散电感

高集成度

+

~

-

ISOTOP

好处

突出表现在高频率运行

低损耗

低噪声开关

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

符合RoHS

~

绝对最大额定值

符号

V

R

V

RRM

I

F（ AV ）

I

FSM

参数

最大直流反向电压

最大峰值重复反向电压

最大平均正向电流

占空比= 50 ％

非重复正向浪涌电流

10 s

最大额定值

600

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

6

210

单位

V

A

APT06DC60HJ - 修订版2009年11月1日

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com

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APT06DC60HJ

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

V

F

I

RM

Q

C

C

二极管的正向电压

最大反向漏电流

总容性充电

总电容

测试条件

I

F

= 6A

T

j

= 25°C

T

j

= 175°C

T

j

= 25°C

V

R

= 600V

T

j

= 175°C

I

F

= 6A ，V

R

= 600V

的di / dt = 500A / μs的

F = 1MHz时， V

R

= 200V

F = 1MHz时， V

R

= 400V

民

典型值

1.6

2.0

50

100

17

40

30

最大

1.8

2.4

200

1000

单位

V

A

nC

pF

热和包装特点

符号

R

thJC

R

thJA

V

ISOL

T

J

,T

英镑

T

L

力矩

Wt

特征

结到外壳热阻

结到环境

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

民

典型值

最大

3.5

20

175

300

1.5

单位

° C / W

V

°C

牛米

g

存储温度范围

最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒

安装力矩

（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）

包装重量

2500

-55

29.2

SOT- 227 （ ISOTOP

）包装外形

31.5 (1.240)

31.7 (1.248)

7.8 (.307)

8.2 (.322)

W=4.1 (.161)

W=4.3 (.169)

H=4.8 (.187)

H=4.9 (.193)

（4处）

11.8 (.463)

12.2 (.480)

8.9 (.350)

9.6 (.378)

六角螺母M4

（4处）

r = 4.0 (.157)

（ 2处）

4.0 (.157)

4.2 (.165)

（ 2处）

0.75 (.030)

0.85 (.033)

25.2 (0.992)

25.4 (1.000)

3.30 (.130) 12.6 (.496)

4.57 (.180) 12.8 (.504)

3.3 (.129)

3.6 (.143)

14.9 (.587)

15.1 (.594)

30.1 (1.185)

30.3 (1.193)

38.0 (1.496)

38.2 (1.504)

1.95 (.077)

2.14 (.084)

APT06DC60HJ - 修订版2009年11月1日

尺寸以毫米（英寸）

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APT06DC60HJ

典型性能曲线

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

4

热阻抗（ ℃/ W）

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0.1

0.05

单脉冲

0.7

0.5

0.3

0.9

0

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

正向特性

反向特性

200

T

J

=25°C

T

J

=175°C

12

I

F

正向电流（ A）

I

R

反向电流（ μA ）

10

8

6

4

2

0

0

0.5

1

T

J

=75°C

160

120

80

40

0

200

T

J

=125°C

T

J

=175°C

T

J

=125°C

T

J

=75°C

T

J

=25°C

1.5

2

2.5

3

300

400

500

600

700

V

F

正向电压（ V）

电容vs.Reverse电压

V

R

反向电压（ V）

250

C，电容（pF ）

200

150

100

50

0

1

APT06DC60HJ - 修订版2009年11月1日

10

100

V

R

反向电压

1000

ISOTOP是意法半导体NV的注册商标。

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

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