APS00B
描述
霍尼韦尔的APS00B高分辨率磁角
位置传感器IC（集成电路）是一种微型的表面
安装设备的角度或旋转位移设计
磁饱和场感应。
该APS00B创建随模拟输出电压
磁通掠过集成电路表面的方向。
它包含双饱和模式的惠斯通电桥的
生成正交（正弦和余弦）信号，以提供一个
扩展范围的角度测量的高达180° 。
本产品是一种具有成本效益和空间效益的解决方案
大批量OEM设计。潜在的应用包括
位置传感，旋转速度和角度检测，和非
联系方式精确定位测量系统。
特点和优点
宽的角度范围允许± 90 °测量无
额外的组件，使该器件适合于各种
角传感应用; ± 180°的测量是
可以与外部元件
小于0.05 °的分辨能力有助于改善整个
系统精度
绝对的传感装置，分度号是必需的，
确切的目标位置是已知的，从而简化了系统的设计
双4元惠斯通电桥提供被动
元，低噪音设计，有利于提高系统
性能
小型SOIC - 8表面贴装封装节省了房间的
PC板时相比较大的集成电路封装和
组件
符合RoHS标准的材料符合指令2002/95 / EC
APS00B传感器IC采用霍尼韦尔各向异性
磁阻（ AMR）技术，可提供的优势
在霍尔效应型磁传感器。它们能够
解决比度的十分之一或一个第十更好
毫米，能承受在磁铁到传感器变化大
差距，表现出不敏感的冲击和振动。
霍尼韦尔公司的磁传感器是最精确
可靠的位置传感器的产业。
这些表面贴装器件直接安装的
电气走线在PC （印刷电路）板。他们是
附由自动焊锡回流操作哪
无需洞，所以它可以帮助降低PC的成本
板。
磁带和卷轴配置允许使用自动拾波用
放设备，无形中降低了装配成本。
（178毫米[ 7 ] ），并330毫米[ 13 ]用卷轴）
用190克典型0 MHz至5 MHz的频率响应
最小施加磁场，使得这种饱和模式
传感器集成电路可能适合于高速应用
只有5伏，在4通常需要mA至操作（20毫瓦） ，
提高能源效率
该设备只能测量磁场方向和几乎
不受冲击，振动和磁源的差距
变型中，提供了一种稳定的，可靠的输出
双桥梁与输出45 °的相位差使得有可能
使用输出作为速度和方向信号
霍尼韦尔APS00A仪表放大器可用于
额外的信号处理
.
APS00B
潜在应用
交通：
高精度角位置传感器
旋转速度和角度检测
非接触式精密位移传感器
速度和方向传感
医疗：
高精度角位置传感器
旋转速度和角度检测
非接触式精密位移传感器
工业：
高精度角位置传感器
旋转速度和角度检测
非接触式精密位移传感器
阀门位置
机器人控制
表1.绝对最大额定值*
参数
电源电压
功耗
工作温度
磁通
分钟。
-12
–
-55 [-67]
–
马克斯。
+12
200
150 [302]
无极限
单位
V
mW
° C [ °F ]
高斯
*绝对最大额定值是极端限制器件将承受而不会损坏器件。然而，电
和机械特性不保证为最高限额（以上推荐工作条件）是
走近，也不会对设备在绝对最大额定值运行。
表2.特性（在VS = 5.0 V和Ta = 25 ° C [ 77 ° F] ，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
Operatingt温度
电桥电阻
电源电流
灵敏度
角度范围
决议
马克斯。输出幅度
分钟。输出幅度
输出幅度（峰峰值）
失调电压
振幅变化
振幅变化
失调漂移
同步
同步移
饱和度
带宽
围绕零
B >饱和场
–
–
–
–
–
在140℃ [ 284 °F]
在-40℃ [ -40°F ]
–
（AMP A /放B ） * 100
–
<10 μV /高斯振幅变化
–
条件
–
–
桥并联连接的
分钟。
–
-40 [-40]
0.9
–
–
-90
–
47.5
-47.5
95
-1
-34
24
-2
97
-1
60
典型值。
5
–
1.25
4.0
2.1
–
0.05
57.5
-57.5
115
–
–
–
–
–
–
190
0-5.0
马克斯。
12
150 [302]
1.6
7.0
2.3
+90
–
67.5
-67.5
135
1
-43
31
2
103
1
–
单位
V
° C [ °F ]
千欧
mA
毫伏/ ℃
°
°
mV
mV
mV
mV
%
%
mV
%
%
高斯
兆赫
2
www.honeywell.com/sensing
图1.检测角位移磁铁的相对运动
该APS00B传感器可用于检测在一个磁体的相对运动
角位移。
给定的5伏的典型电源电压，每个桥将提供约115毫伏的
摆幅（ ± 57.5 mV）在2.5 V偏压的顶部。与+ 5V应用到它时，
桥进行铁路分流函数来创建驱动两个近+2.5伏电源
除了由V作为由磁场与偏移误差电压产生。
为APS00B桥差动输出电压（V ）为：
V
A
= VS的罪（ 2 θ ）和V
B
= VS S COS （ 2 θ ） ，其中：
VS =电源电压（ V）
S =材料常数= （ R / R最大） * （ 1/2） = 11.5 mV / V的标称
θ =参考磁场角（° ）
请参考应用手册
“如何应用霍尼韦尔APS00B角
位置传感器集成电路“
有关其他详细信息。
图2.电气图
图3.引脚和传感元件位置
该APS00B具有优化的双传感器的桥梁
旋转传感应用。因而在模具的中心在
采用SOIC - 8封装内的所有三个维度。该
下图表示管脚的识别和
传感元件的位置。
桥“ A”的输出：
VOUTA = VS * S *罪（ 2θ ） +沃萨，
其中：
S = 11.5 mV / V的标称
沃萨=网桥A偏移
（标称= 0 V）
桥“ B”的输出：
VOUTB = VS * S * COS（ 2θ ）+ VosB
其中：
S = 11.5毫伏/ G名义
VosB =网桥B偏移
（标称= 0 V）
网桥A是centroidally共同位于桥B和网桥A
元件由45°相对旋转到网桥B元素
如图所示。
图4.典型的电桥输出VS旋转角度
霍尼韦尔传感与控制
3
APS00B
图5.常见的接线图
图6.典型接线图与霍尼韦尔APS00A仪表放大器
4
www.honeywell.com/sensing
图7.安装尺寸（所有尺寸仅供参考：毫米/ [中] ）
SOIC -8封装
TAPE
标准盘（ 178毫米[ 7 ] ）
大型卷（ 330毫米[ 13 ] ）
APS00M磁铁
23,5直径。
[0.93]
磁化
方向
11,0
[0.43]
3,35
[0.13]
霍尼韦尔传感与控制
5
APS00B
描述
霍尼韦尔的APS00B高分辨率磁角
位置传感器IC（集成电路）是一种微型的表面
安装设备的角度或旋转位移设计
磁饱和场感应。
该APS00B创建随模拟输出电压
磁通掠过集成电路表面的方向。
它包含双饱和模式的惠斯通电桥的
生成正交（正弦和余弦）信号，以提供一个
扩展范围的角度测量的高达180° 。
本产品是一种具有成本效益和空间效益的解决方案
大批量OEM设计。潜在的应用包括
位置传感，旋转速度和角度检测，和非
联系方式精确定位测量系统。
特点和优点
宽的角度范围允许± 90 °测量无
额外的组件，使该器件适合于各种
角传感应用; ± 180°的测量是
可以与外部元件
小于0.05 °的分辨能力有助于改善整个
系统精度
绝对的传感装置，分度号是必需的，
确切的目标位置是已知的，从而简化了系统的设计
双4元惠斯通电桥提供被动
元，低噪音设计，有利于提高系统
性能
小型SOIC - 8表面贴装封装节省了房间的
PC板时相比较大的集成电路封装和
组件
符合RoHS标准的材料符合指令2002/95 / EC
APS00B传感器IC采用霍尼韦尔各向异性
磁阻（ AMR）技术，可提供的优势
在霍尔效应型磁传感器。它们能够
解决比度的十分之一或一个第十更好
毫米，能承受在磁铁到传感器变化大
差距，表现出不敏感的冲击和振动。
霍尼韦尔公司的磁传感器是最精确
可靠的位置传感器的产业。
这些表面贴装器件直接安装的
电气走线在PC （印刷电路）板。他们是
附由自动焊锡回流操作哪
无需洞，所以它可以帮助降低PC的成本
板。
磁带和卷轴配置允许使用自动拾波用
放设备，无形中降低了装配成本。
（178毫米[ 7 ] ），并330毫米[ 13 ]用卷轴）
用190克典型0 MHz至5 MHz的频率响应
最小施加磁场，使得这种饱和模式
传感器集成电路可能适合于高速应用
只有5伏，在4通常需要mA至操作（20毫瓦） ，
提高能源效率
该设备只能测量磁场方向和几乎
不受冲击，振动和磁源的差距
变型中，提供了一种稳定的，可靠的输出
双桥梁与输出45 °的相位差使得有可能
使用输出作为速度和方向信号
霍尼韦尔APS00A仪表放大器可用于
额外的信号处理
.
APS00B
潜在应用
交通：
高精度角位置传感器
旋转速度和角度检测
非接触式精密位移传感器
速度和方向传感
医疗：
高精度角位置传感器
旋转速度和角度检测
非接触式精密位移传感器
工业：
高精度角位置传感器
旋转速度和角度检测
非接触式精密位移传感器
阀门位置
机器人控制
表1.绝对最大额定值*
参数
电源电压
功耗
工作温度
磁通
分钟。
-12
–
-55 [-67]
–
马克斯。
+12
200
150 [302]
无极限
单位
V
mW
° C [ °F ]
高斯
*绝对最大额定值是极端限制器件将承受而不会损坏器件。然而，电
和机械特性不保证为最高限额（以上推荐工作条件）是
走近，也不会对设备在绝对最大额定值运行。
表2.特性（在VS = 5.0 V和Ta = 25 ° C [ 77 ° F] ，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
Operatingt温度
电桥电阻
电源电流
灵敏度
角度范围
决议
马克斯。输出幅度
分钟。输出幅度
输出幅度（峰峰值）
失调电压
振幅变化
振幅变化
失调漂移
同步
同步移
饱和度
带宽
围绕零
B >饱和场
–
–
–
–
–
在140℃ [ 284 °F]
在-40℃ [ -40°F ]
–
（AMP A /放B ） * 100
–
<10 μV /高斯振幅变化
–
条件
–
–
桥并联连接的
分钟。
–
-40 [-40]
0.9
–
–
-90
–
47.5
-47.5
95
-1
-34
24
-2
97
-1
60
典型值。
5
–
1.25
4.0
2.1
–
0.05
57.5
-57.5
115
–
–
–
–
–
–
190
0-5.0
马克斯。
12
150 [302]
1.6
7.0
2.3
+90
–
67.5
-67.5
135
1
-43
31
2
103
1
–
单位
V
° C [ °F ]
千欧
mA
毫伏/ ℃
°
°
mV
mV
mV
mV
%
%
mV
%
%
高斯
兆赫
2
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图1.检测角位移磁铁的相对运动
该APS00B传感器可用于检测在一个磁体的相对运动
角位移。
给定的5伏的典型电源电压，每个桥将提供约115毫伏的
摆幅（ ± 57.5 mV）在2.5 V偏压的顶部。与+ 5V应用到它时，
桥进行铁路分流函数来创建驱动两个近+2.5伏电源
除了由V作为由磁场与偏移误差电压产生。
为APS00B桥差动输出电压（V ）为：
V
A
= VS的罪（ 2 θ ）和V
B
= VS S COS （ 2 θ ） ，其中：
VS =电源电压（ V）
S =材料常数= （ R / R最大） * （ 1/2） = 11.5 mV / V的标称
θ =参考磁场角（° ）
请参考应用手册
“如何应用霍尼韦尔APS00B角
位置传感器集成电路“
有关其他详细信息。
图2.电气图
图3.引脚和传感元件位置
该APS00B具有优化的双传感器的桥梁
旋转传感应用。因而在模具的中心在
采用SOIC - 8封装内的所有三个维度。该
下图表示管脚的识别和
传感元件的位置。
桥“ A”的输出：
VOUTA = VS * S *罪（ 2θ ） +沃萨，
其中：
S = 11.5 mV / V的标称
沃萨=网桥A偏移
（标称= 0 V）
桥“ B”的输出：
VOUTB = VS * S * COS（ 2θ ）+ VosB
其中：
S = 11.5毫伏/ G名义
VosB =网桥B偏移
（标称= 0 V）
网桥A是centroidally共同位于桥B和网桥A
元件由45°相对旋转到网桥B元素
如图所示。
图4.典型的电桥输出VS旋转角度
霍尼韦尔传感与控制
3
APS00B
图5.常见的接线图
图6.典型接线图与霍尼韦尔APS00A仪表放大器
4
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图7.安装尺寸（所有尺寸仅供参考：毫米/ [中] ）
SOIC -8封装
TAPE
标准盘（ 178毫米[ 7 ] ）
大型卷（ 330毫米[ 13 ] ）
APS00M磁铁
23,5直径。
[0.93]
磁化
方向
11,0
[0.43]
3,35
[0.13]
霍尼韦尔传感与控制
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