SMD振荡器，可编程
产品特点：
- 小尺寸5x3.2
- 低成本性能
- 3.0 5.5伏可
- 公差和稳定性为± 25ppm的
- 超低抖动<11ps
- 三态或掉电可用
特定网络阳离子
频带
频率稳定度
工作温度
储存温度
可编程电压
1 = 133 MHz的
可编程电压
1 = 100 MHz的
老化（ ppm /年） ，TA = 25℃ ， VDD = 5 / 3.3 V
可编程的输出电平
亚太质量组织5032
为1MHz 133MHz的
± 25ppm的 ± 100ppm的
0°C ~ +70°C - -40°C ~ +85°C
-55°C ~ +125°C
4.5V ~ 5.5V
3.0V ~ 3.6V
±5ppm
CMOS / TTL
备注
请具体说明
请具体说明
请具体说明
亚太质量组织5032
工作条件
描述
VDD
C
TTL
电源电压
对TTL电平输出最大容性负载
4.5 V 5.5 V的Vdd
40 MHZ
4.5 V 5.5 V的Vdd > 40 133 MHz的
最大电容对CMOS电平输出负载
4.5 V 5.5 V的Vdd
66兆赫
4.5 V 5.5 V的Vdd > 66 133兆赫
3.0 V 3.6 V的Vdd
40 MHZ
3.0 V 3.6 V的Vdd > 40 100兆赫
民
3.0
最大
5.5
50
25
50
25
30
15
单位
V
pF
pF
pF
pF
pF
pF
C
CMOS
制图
亚太质量组织5032
尺寸（mm）
为了关键
O
部分
O =振荡器
- 10.000000M
频率
M →兆赫
- 亚太质量组织5032
类型/包
亚太质量组织=可编程QO
5032 = SMD 5x3.2
- 50
公差
± PPM
- 5.0
电压
5.0=5.0Volt
3.3=3.3Volt
-A
温度
A=
0°C ~ +70°C
/ T
选项
T =三态
P =关机
/
包装
空白=管
B = -10 ° C + 60°C
C= -10°C ~ +70°C
D = -20 ° C + 70°C
E = -40 ° C + 85°C
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所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
4.7
SMD振荡器，可编程
亚太质量组织5032
电气特性
详细描述
输入特性（引脚1 ）
V
IL
，低电平输入电压
三态或断电
测试条件
4.5 5.5 V的Vdd
3.0 3.6 V的Vdd
4.5 5.5 V的Vdd
3.0 3.6 V的Vdd
V
IN
= 0V
V
IN
= VDD
4.5 V 5.5 V的Vdd ， 16毫安我
OL
3.0 V 3.6 V的Vdd ， 8毫安我
OL
4.5 V 5.5 V的Vdd ， -16 mA的我
OL
4.5 5.5的Vdd ， -16 mA的我
OL
3.0 V 3.6 V的Vdd ， -8毫安我
OL
4.5 5.5的Vdd ，哦
安输出FREQ
133兆赫
3.0 3.6的Vdd ，哦
安输出FREQ
100兆赫
4.5 5.5的Vdd ，V
IN
= 0V
4.5 5.5的Vdd ，V
IN
= 0.7 V
5.0的Vdd
输出三态
输出三态
民
典型值
最大
0.8
0.2 VDD
单位
V
V
V
V
A
A
V
V
V
V
V
mA
mA
A
M
K¨
A
V
IH
，高电平输入电压
为了使输出或无连接
2.0
0.7 VDD
10
5
0.4
0.4
2.4
VDD - 0.4
VDD - 0.4
45
25
50
8.0
200
I
IL
，输入低电流
I
IH
，输入大电流
输出特性
V
OL
，低电平输出电压
V
OHTTL
，高电平输出电压TTL
V
OHCMOS
高级别CMOS电压
电源电流
（空载）
待机电流
输入上拉电阻
(P
IN
1)
三态泄漏电流
输出使能模式
掉电模式
输出时钟开关特性
1.1
50
10
3.0
100
20
描述
占空比
TTL @ 1.4 V
4.5 5.5的Vdd
测试条件
50兆赫，C
L
= 50 pF的
50 66兆赫，C
L
= 15 pF的
66 125兆赫，C
L
= 25 pF的
125 - 133兆赫，C
L
= 15 pF的
66兆赫，C
L
25 pF的
66 125兆赫，C
L
25 pF的
125 - 133兆赫，C
L
15 pF的
40兆赫，C
L
30 pF的
40 - 100兆赫，C
L
15 pF的
0.8 V 2.0 V， 4.5 5.5的Vdd ，C
L
= 50
0.8 V 2.0 V， 4.5 5.5的Vdd ，C
L
= 25
0.8 V 2.0 V， 4.5 5.5的Vdd ，C
L
= 15
0.2 0.8的Vdd ， 4.5 5.5的Vdd ，C
L
= 50
0.2 0.8的Vdd ， 3.0 3.6的Vdd ，C
L
= 30
0.2 0.8的Vdd ， 3.0 3.6的Vdd ，C
L
= 15
从电源上
PWR_DWN引脚为低电平，输出高阻
民
45
45
40
40
45
40
40
45
40
典型值
最大
55
55
60
60
55
60
60
55
60
1.8
1.2
0.9
3.4
4.0
2.4
2
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
ps
占空比：
CMOS @ VDD / 2
4.5 5.5的Vdd
3.0 3.6的Vdd
输出时钟的上升/下降
启动时间
关机延迟时间
同步
异步
输出禁止时间
同步
异步
输出使能时间
周期抖动：
°
峰值到峰值
T/2
10
T/2
10
8
65
65
T+10
15
T+10
15
100
11
99
80
OE引脚为低电平，输出高阻
T =频率振荡器周期
1 - 133MHz的
33.000兆赫
> 33.000兆赫
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所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
4.8
SMD振荡器，可编程
产品特点：
- SMD 5x3.2
- 低成本performane
- 3.0 5.5伏可
- 公差和稳定性为± 25ppm的
- 超低抖动<11ps
特定网络阳离子
频带
频率稳定度
工作温度
储存温度
可编程电压
1 = 133 MHz的
可编程电压
1 = 100 MHz的
老化（ ppm /年） ，TA = 25℃ ， VDD = 5 / 3.3 V
可编程的输出电平
亚太质量组织5032
1 133MHz的
± 25ppm的 ± 100ppm的
-0°C ~ +70°C - -40°C ~ +85°C
-55°C ~ +125°C
4.0V ~ 5.5V
3.0V ~ 3.6V
时±5ppm
CMOS / TTL
亚太质量组织5032
备注
请具体说明
请具体说明
请具体说明
工作条件
描述
VDD
C
TTL
电源电压
对TTL电平输出最大容性负载
4.5 V 5.5 V的Vdd
40 MHZ
4.5 V 5.5 V的Vdd > 40 133 MHz的
最大电容对CMOS电平输出负载
4.5 V 5.5 V的Vdd
66兆赫
4.5 V 5.5 V的Vdd > 66 133兆赫
3.0 V 3.6 V的Vdd
40 MHZ
3.0 V 3.6 V的Vdd > 40 100兆赫
民
3.0
最大
5.5
50
25
50
25
30
15
单位
V
pF
pF
pF
pF
pF
pF
C
CMOS
制图
亚太质量组织5032
尺寸（mm）
为了关键
O
部分
O =振荡器
- 10.000000M
频率
M →兆赫
- 亚太质量组织5032
类型/包
亚太质量组织=可编程QO
亚太质量组织5032 = SMD 5x3,2
- 50
公差
+/- PPM
- 5.0
电压
5,0=5,0Volt
3,3=3,3Volt
-D
温度
A=
0°C - 70°C
-T
Opion
T =三态
B = -10℃ - 60℃
C=-10°C - 70°C
D = -20℃ - 70℃
E = -40°C - 85°C
X =特殊选项
备注：所有规格如有变更，恕不另行通知！
4.5
QQ：2880707522 复制
