APM9988CO
双N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ，R
DS （ ON）
= 16mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 19MΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
引脚说明
TSSOP封装的顶视图
8
应用
电源管理，便携式设备和
电池供电系统
(4)
G1
(1)
D
(8)
D
(5)
G2
S1
(2)
S1
(3)
S2 S2
(6) (7)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM9988C
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
○： TSSOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM9988C ○：
APM9988C
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类，在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 2005年9月
1
www.anpec.com.tw
APM9988CO
典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
= 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
24
22
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
1.5V
8
6
4
2
0
0.0
20
18
V
GS
=4.5V
16
14
12
10
V
GS
=2.5V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
18
16
栅极阈值电压
1.6
I
DS
=250
A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T
j
=125 C
T
j
=25 C
o
o
T
j
=-55 C
o
归一化阈值电压
0.2
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 2005年9月
5
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