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APM9968C
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ，R
DS （ ON）
= 16mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 20MΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
TSSOP -8封装
引脚说明
D
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S2
S2
G2
TSSOP-8
D
D
应用
在笔记本电脑的电源管理，
G1
G2
S1
S1
S2
S2
便携式设备和电池供电
系统。
N沟道MOSFET
齐纳二极管保护门提供
人体模式静电放电
保护到2500 V.
订购和标识信息
APM9968C
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
○： TSSOP - 8
TEMP 。 RANGE
C： -55 150
°
C
处理代码
TR ：带卷&
APM9968C ○：
APM9968C
XXXXX
XXXXX - 日期代码
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 七月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM9968C
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
*
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
T
A
=25°C
最大功率耗散
T
A
=100°C
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±8
6
20
1
W
0.4
150
-55到150
80
°C
°C
° C / W
A
V
单位
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9968C
典型值。
马克斯。
分钟。
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±8V , V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=5.2A
I
SD
= 0.5A ，V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
DS
= 6A
V
GS
=4.5V ,
20
1
0.6
0.7
16
20
0.7
19
2
5
37
68
62
182
100
1
±10
20
25
1.3
25
V
A
V
A
m
V
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
nC
V
DD
= 10V ，我
DS
=6A ,
V
根
= 4.5V ，R
G
=6
33
100
54
ns
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 七月， 2003
2
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APM9968C
电气特性续。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9968C
典型值。
马克斯。
分钟。
1253
340
260
pF
测试条件
V
GS
=0V
V
DS
=15V
单位
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
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3
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APM9968C
典型特征
输出特性
20
V
GS
=1.8,2,3,4,5,6,7,8,9,10V
传输特性
20
I
D
- 漏电流（A ）
12
V
GS
=1.5V
I
D-
漏电流（ A）
16
16
12
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
8
8
4
V
GS
=1V
4
0
0
2
4
6
8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.6
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.022
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50
0.021
0.020
0.019
0.018
0.017
0.016
0.015
0.014
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
4
8
12
16
20
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
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4
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APM9968C
典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
0.044
I
D
=6A
导通电阻与结温
1.8
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.040
0.036
0.032
0.028
0.024
0.020
0.016
0.012
0.008
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
2500
V
DS
=10V
I
D
=6A
电容
Frequency=1MHz
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
2000
3
电容（pF）
1500
西塞
2
1000
1
500
科斯
CRSS
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
5
10
15
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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