【APM9966/C双N沟道增强型MOSFET特点SOP-820V / 6A ，RDS （ ON）= 】,IC型号APM9966KC-TR,APM9966KC-TR PDF资料,APM9966KC-TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM9966/C

双N沟道增强型MOSFET

特点

SOP-8

20V / 6A ，R

DS （ ON）

= 19MΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

R

DS （ ON）

= 27mΩ （典型值） @ V

GS

=2.5V

TSSOP-8

20V / 6A ，R

DS （ ON）

= 21mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

R

DS （ ON）

= 29mΩ （典型值） @ V

GS

=2.5V

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统。

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

SO -8和TSSOP -8封装

引脚说明

APM9966

S1

G1

S2

G2

1

2

3

4

8

7

6

5

D1

D1

D2

D2

D1

S1

S1

G1

1

2

3

4

8

7

6

5

D2

S2

S2

G2

S1

G1

S2

G2

1

2

3

4

8

7

6

5

APM9966C

D

D

D

D

D

S1

S1

G1

1

2

3

4

8

7

6

5

D

S2

S2

G2

SO-8

D1

D1

TSSOP-8

D1

SO-8

D

TSSOP-8

D

G1

G1

G1

G1

S1

D2

D2

S1

S1

D2

S1

D

S1

D

S1

G2

G2

G2

G2

S2

S2

S2

S2

S2

S2

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APM9966/C

订购和标识信息

APM9966/C

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

封装代码

K： SO - 8

○： TSSOP - 8

工作结点温度。范围

C： -55 150

°

C

处理代码

TR ：带卷&

APM9966 / C K / ○：

APM9966/C

XXXXX

XXXXX - 日期代码

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D *

I

DM

漏源电压

栅源电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

20

±10

6

20

SO-8

TSSOP-8

SO-8

TSSOP-8

1.6

1.0

0.625

0.4

150

-55到150

50

单位

V

A

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

T

A

=25

°

C

P

D

最大功率耗散

T

A

=100

°

C

W

T

J

T

英镑

R

θJA

最高结温

存储温度范围

热阻 - 结到环境

°

C

°

C

°

C / W

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

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电气特性（续）

符号

STATIC

BV

DSS

漏源击穿电压V

GS

= 0V时，我

DS

=250

A

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

SOP-8

V

DS

=16V , V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250

A

V

GS

=

±

10V , V

DS

=0V

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=6A

R

DS （ ON）

a

漏极 - 源极导通状态

阻力

TSSOP-8

V

SD

a

二极管的正向电压

V

GS

= 2.5V ，我

DS

=5.2A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=6A

V

GS

= 2.5V ，我

DS

=5.2A

I

SD

= 1.7A ，V

GS

=0V

V

DS

= 10V ，我

DS

= 1A

V

GS

=4.5V ,

19

27

21

29

0.8

14

3.5

2.1

25

V

DD

= 10V ，我

DS

=1A ,

V

根

= 4.5V ，R

G

=0.2

V

GS

=0V

V

DS

=15V

Frequency=1.0MHz

22

67

36

780

165

105

pF

0.5

0.7

20

1

1

±

100

23

33

25

35

1.1

18

nC

47

42

122

67

ns

V

m

V

A

V

nA

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM9966/C

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

动态

b

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

栅极 - 源电荷

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

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典型特征

输出特性

20

V

GS

=2,3,4,5,6,7,8,9,10V

1V

传输特性

20

I

D-

漏电流（ A）

16

I

D

- 漏电流（A ）

15

12

0.5V

10

8

5

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

T

J

=125°C

4

0

0

1

2

3

4

5

0

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

I

DS

=250uA

导通电阻与漏电流

0.05

SOP-8

V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.04

V

GS

=4.5V

0.03

V

GS

=2.5V

0.02

0.01

-25

0

25

50

75

100 125 150

0.00

0

4

8

12

16

20

TJ - 结温（ ° C）

I

D

- 漏电流（ A）

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典型特征（续）

导通电阻与漏电流

TSSOP-8

导通电阻与栅极至源极电压

SOP-8

0.05

0.10

0.09

I

D

=6A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.04

V

GS

=4.5V

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.03

V

GS

=2.5V

0.02

0.01

0.00

0.00

0

4

8

12

16

20

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

I

D

- 漏电流（ A）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与栅极至源极电压

TSSOP-8

导通电阻与结温

2.00

V

GS

=4.5V

ID

=6A

0.10

I

D

=6A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

0.09

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

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联系人：杨小姐

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联系人：刘先生

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