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APM9966/C
双N沟道增强型MOSFET
特点
SOP-8
20V / 6A ，R
DS （ ON）
= 19MΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 27mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
TSSOP-8
20V / 6A ，R
DS （ ON）
= 21mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 29mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SO -8和TSSOP -8封装
引脚说明
APM9966
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
D1
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
S2
S2
G2
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
APM9966C
D
D
D
D
D
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S2
S2
G2
SO-8
D1
D1
TSSOP-8
D1
SO-8
D
TSSOP-8
D
G1
G1
G1
G1
S1
D2
D2
S1
S1
D2
S1
D
S1
D
S1
G2
G2
G2
G2
S2
S2
S2
S2
S2
S2
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 三月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM9966/C
订购和标识信息
APM9966/C
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SO - 8
○： TSSOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TR ：带卷&
APM9966 / C K / ○：
APM9966/C
XXXXX
XXXXX - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D *
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±10
6
20
SO-8
TSSOP-8
SO-8
TSSOP-8
1.6
1.0
0.625
0.4
150
-55到150
50
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
T
A
=25
°
C
P
D
最大功率耗散
T
A
=100
°
C
W
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
°
C
°
C
°
C / W
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 三月， 2003
2
www.anpec.com.tw
APM9966/C
电气特性（续）
符号
STATIC
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
DS
=250
A
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
SOP-8
V
DS
=16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
A
V
GS
=
±
10V , V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=6A
R
DS （ ON）
a
漏极 - 源极导通状态
阻力
TSSOP-8
V
SD
a
二极管的正向电压
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=5.2A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=5.2A
I
SD
= 1.7A ，V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
DS
= 1A
V
GS
=4.5V ,
19
27
21
29
0.8
14
3.5
2.1
25
V
DD
= 10V ，我
DS
=1A ,
V
根
= 4.5V ，R
G
=0.2
V
GS
=0V
V
DS
=15V
Frequency=1.0MHz
22
67
36
780
165
105
pF
0.5
0.7
20
1
1
±
100
23
33
25
35
1.1
18
nC
47
42
122
67
ns
V
m
V
A
V
nA
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9966/C
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
版权
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3
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APM9966/C
典型特征
输出特性
20
V
GS
=2,3,4,5,6,7,8,9,10V
1V
传输特性
20
I
D-
漏电流（ A）
16
I
D
- 漏电流（A ）
15
12
0.5V
10
8
5
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
T
J
=125°C
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.05
SOP-8
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.04
V
GS
=4.5V
0.03
V
GS
=2.5V
0.02
0.01
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.00
0
4
8
12
16
20
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM9966/C
典型特征（续）
导通电阻与漏电流
TSSOP-8
导通电阻与栅极至源极电压
SOP-8
0.05
0.10
0.09
I
D
=6A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.04
V
GS
=4.5V
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.03
V
GS
=2.5V
0.02
0.01
0.00
0.00
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与栅极至源极电压
TSSOP-8
导通电阻与结温
2.00
V
GS
=4.5V
ID
=6A
0.10
I
D
=6A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0.09
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
版权
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Am29F002T-120PC
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    APM9966
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APM9966
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APM9966
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电话：075584505750
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APM9966
ANPEC/茂达电子
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APM9966
ANPEC/茂达电子
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
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APM9966
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APM9966
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
APM9966
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话：19520735817/13148740183
联系人：米小姐，黄小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
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