【APM9945K双N沟道增强型MOSFET特点60V/3A,RDS （ ON）=为100mΩ （典型】,IC型号APM9945KC-TR,APM9945KC-TR PDF资料,APM9945KC-TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM9945K

双N沟道增强型MOSFET

特点

60V/3A,

R

DS （ ON）

=为100mΩ （典型值） @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 120MΩ （典型值） @ V

GS

= 4.5V

引脚说明

D1

D1

D2

D2

超级高密度电池设计

可靠，坚固耐用

无铅可用（符合RoHS ）

S1

G1

S2

G2

SOP

8

(7 )

D1

(8 )

D1

(5 )

D2

(6 )

D2

应用

在桌面或DC / DC电源管理

转换器

(2 )

G1

(4 )

G2

S1

(1 )

S2

(3 )

N沟道MOSFET

订购和标识信息

APM 9945

无铅代码

处理代码

TEM页。范围

封装代码

封装代码

K： SOP - 8

工作结TEM页。范围

C： -55 ℃150℃

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅冰开发空白：原创开发的冰

XXXXX - 日期代码

APM 9945 K：

APM 9945

XXXXX

注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接

化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求

化在无铅峰值回流温度。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

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1

www.anpec.com.tw

APM9945K

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DM

*

I

S

*

T

J

T

英镑

P

D

*

R

θJA

*

注意：

*表面安装在1英寸

垫区域，叔

≤

10sec.

2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

二极管连续正向电流

最高结温

存储温度范围

功率消耗单操作

热阻，结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

V

GS

=10V

等级

60

±20

3

20

3

150

-55到150

2

0.8

62.5

单位

V

A

A

°C

W

° C / W

电气特性

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

测试条件

APM9945K

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

静态特性

BV

DSS

漏源击穿电压

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

a

a

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=48V, V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=3A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=2A

I

SD

= 3A ，V

GS

=0V

V

GS

=0V,V

DS

=0V,F=1MHz

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

Frequency=1.0MHz

60

1

1

2

100

120

0.8

3

±100

135

160

1.3

V

A

V

nA

m

V

pF

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

二极管的正向电压

b

动态特性

R

G

栅极电阻

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

3.4

390

75

20

8

18

20

40

20

9

20

8

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

V

DD

= 15V ，R

L

=10,

I

DS

= 1A ，V

根

=10V,

R

G

=6

ns

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2

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APM9945K

电气特性（续）

符号

参数

b

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM9945K

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

栅极电荷特性

Q

g

Q

gs

Q

gd

总栅极电荷

20

V

DS

=15V, V

GS

=10V,

I

DS

=3A

5

5

26

nC

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

注意事项：

一：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%.

B：由设计保证，不受生产测试。

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APM9945K

典型特征

功耗

2.5

4

漏电流

2.0

1.5

I

D

- 漏电流（ A）

3

P

合计

- 功率（W ）

2

1.0

1

0.5

0.0

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

50

2

1

瞬态热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

I

D

- 漏电流（ A）

on

)L

im

10

s(

it

Rd

300

s

1ms

0.1

0.05

0.02

0.01

1

10ms

100ms

1s

0.1

0.01

单脉冲

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 62.5 C / W

2

DC

0.01

0.01

T

A

=25 C

0.1

1

10

100

o

1E-3

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10 30

V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

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APM9945K

典型特征（续）

输出特性

20

V

GS

= 6,7,8,9,10V

18

5V

0.18

16

0.20

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

- 在 - 电阻（Ω ）

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

V

GS

=4.5V

I

D

- 漏电流（ A）

14

12

10

8

6

4

2

3V

0

0

2

4

6

8

10

4V

V

GS

=10V

0.02

0

2

4

6

8

10

V

DS

- 漏源电压（ V）

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

20

18

16

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

2

0

0

1

2

3

4

5

6

7

栅极阈值电压

I

DS

=250

A

I

D

- 漏电流（ A）

14

12

10

8

6

4

T

j

=25 C

o

T

j

=125 C

o

T

j

=-55 C

o

归一化阈值电压

0.2

-50 -25

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 门 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

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联系人：连

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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