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APM9935K
双P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -6A ，
R
DS （ ON）
= 30mΩ到（典型值） @ V
GS
=-4.5V
R
DS （ ON）
= 38mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
S1
G1
S2
G2
SOP的顶视图
8
(1)
S1
(3)
S2
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
(2)
G1
(4)
G2
D1
(7)
D1
(8)
D2
(5)
D2
(6)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM9935
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM9935 K：
APM9935
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM9935K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-20
±12
-6
V
GS
=-4.5V
-20
-2
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2
0.8
62.5
W
° C / W
V
A
A
°C
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM9935
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-6A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
=-5A
I
SD
= -2A ，V
GS
=0V
-20
-1
-30
-0.5
-0.7
30
38
-0.7
-1
±100
45
65
-1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
17
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-6A
5.2
3.6
25
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM9935K
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM9935
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
10.6
1665
380
290
12
25
35
80
40
18
40
20
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -10V ，R
L
=10,
I
DS
= -1A ，V
根
=-4.5V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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牧师B.1 - 三月， 2005年
3
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APM9935K
典型特征
功耗
2.5
8
漏电流
2.0
1.5
-I
D -
漏电流（ A）
o
6
P
合计
- 功率（W ）
4
1.0
2
0.5
o
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
T
A
= 25℃ ，V
G
=-4.5V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
50
2
1
瞬态热阻抗
-I
D
- 漏电流（ A）
on
)L
10
Rd
s(
im
1ms
占空比= 0.5
0.2
0.1
it
10ms
0.1
0.05
0.02
0.01
1
100ms
1s
0.1
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
DC
0.01
0.01
T
A
=25 C
0.1
1
10
100
o
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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APM9935K
典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
= -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
60
55
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
50
45
V
GS
= -2.5V
40
35
30
25
20
15
V
GS
= -4.5V
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
-1.5V
-2V
10
0
4
8
12
16
20
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
18
16
2.00
1.75
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化的阈值Vlotage
3.0
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
j
=25 C
o
o
T
j
=125 C
o
T
j
=-55 C
-25
0
25
50
75
100
125
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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操作
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    APM9935KC-TRL
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联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
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电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
APM9935KC-TRL
ANPEC
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电话：0755-23919407
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电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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ANPEC
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电话：0755-88291559
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电话：0755-83223003
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