APM9932CK
双通道增强型MOSFET （N和P通道）
特点
N沟道
20V/9A,
R
DS （ ON）
= 12mΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
= 18MΩ （典型值） @ V
GS
= 2.5V
引脚说明
D
D
D
D
S1
G1
S2
G2
P沟道
-20V/-6A,
R
DS （ ON）
= 30mΩ到（典型值） @ V
GS
=-4.5V
R
DS （ ON）
= 50mΩ以下（典型值） @ V
GS
=-2.5V
SOP的顶视图
8
(8)
D1
(7)
D1
(6)
D2
(5)
D2
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
(2)
G1
(4)
G2
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S1
(1)
S2
(3)
N-P沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁9932C
铅F稀土颂歌
andling 颂歌
牛逼EM P 。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
K： S 0 P -8
操作摄像结牛逼EM P 。 法兰
C： -55 ℃150℃
andling 颂歌
牛逼U：牛逼UBE
牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼
铅F稀土颂歌
L：铅F稀土 evice B平直：O型riginal evice
X X X X X - D吃颂歌
一个PM 9932C K：
永磁9932C
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM9932CK
典型特征（续）
输出特性
20
V
GS
= 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
30
漏源导通电阻
2.5V
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（Ω ）
16
25
I
D
- 漏电流（ A）
20
V
GS
=2.5V
12
15
V
GS
=4.5V
10
8
4
2V
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
栅极阈值电压
I
DS
=250
Α
16
12
8
T
j
=125 C
o
o
4
T
j
=-55 C
T
j
=25 C
o
0
0.0
归一化阈值电压
4.0
I
D
- 漏电流（ A）
0.5
1.0
1.5
2.0 2.5
3.0 3.5
0.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
5
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