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APM9932CK
双通道增强型MOSFET (N和P通道)
特点
N沟道
20V/9A,
R
DS ( ON)
= 12mΩ (典型值) @ V
GS
= 4.5V
R
DS ( ON)
= 18MΩ (典型值) @ V
GS
= 2.5V
引脚说明
D
D
D
D
S1
G1
S2
G2
P沟道
-20V/-6A,
R
DS ( ON)
= 30mΩ到(典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
= 50mΩ以下(典型值) @ V
GS
=-2.5V
SOP的顶视图
8
(8)
D1
(7)
D1
(6)
D2
(5)
D2
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
(2)
G1
(4)
G2
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
S1
(1)
S2
(3)
N-P沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁9932C
铅F稀土颂歌
andling 颂歌
牛逼EM P 。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
K: S 0 P -8
操作摄像结牛逼EM P 。 法兰
C: -55 ℃150℃
andling 颂歌
牛逼U:牛逼UBE
牛逼R:牛逼猿& 鳗鱼
铅F稀土颂歌
L:铅F稀土 evice B平直:O型riginal evice
X X X X X - D吃颂歌
一个PM 9932C K:
永磁9932C
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM9932CK
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
垫区域,叔
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
N沟道
20
±16
9
30
9
30
1.5
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2
0.8
62.5
W
° C / W
P沟道
-20
±12
-6
-20
-1.2
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功耗
A
°C
热阻,结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM9932CK
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
V
GS
= 0V时,我
DS
=250A
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=9A
R
DS ( ON)
a
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
-20
1
-1
0.55
-0.45
0.7
-0.6
1.5
-1
±100
±100
12
30
18
50
0.75
-0.8
18
45
27
65
1.3
-1.3
V
A
V
nA
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-6A
V
GS
= 2.5V ,我
DS
=6A
V
GS
= -2.5V ,我
DS
=-4A
I
SD
= 1.5A ,V
GS
=0V
I
SD
= -1.2A ,V
GS
=0V
m
V
SD
a
二极管的正向电压
V
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM9932CK
电气特性(续)
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM9932CK
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
C
国际空间站
输入电容
N沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=20V,
Frequency=1.0MHz
P沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=-20V,
Frequency=1.0MHz
N沟道
V
DD
= 10V ,R
L
=10,
I
DS
= 1A ,V
=4.5V,
R
G
=6
P沟道
V
DD
= -10V ,R
L
=10,
I
DS
= -1A ,V
=-4.5V,
R
G
=6
b
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
1205
1210
310
310
210
205
8
7
10
9
29
27
7
6
15
13
17
16
43
42
11
9
ns
pF
C
OSS
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
N沟道
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=6A
P沟道
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
14
17
5
5.2
2.8
3.6
22
25
nC
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
注意事项:
一:脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
2%.
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
3
www.anpec.com.tw
APM9932CK
典型特征
N沟道
功耗
2.5
10
漏电流
2.0
8
1.5
I
D
- 漏电流( A)
0
20
40
60
80 100 120 140 160
P
合计
- 功率(W )
6
1.0
4
0.5
2
0.0
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
on
)L
im
占空比= 0.5
0.2
it
I
D
- 漏电流( A)
Rd
s(
10
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
1
100ms
1s
0.01
0.1
DC
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 62.5 C / W
2
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
O
1
10
100
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
4
www.anpec.com.tw
APM9932CK
典型特征(续)
输出特性
20
V
GS
= 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
30
漏源导通电阻
2.5V
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻(Ω )
16
25
I
D
- 漏电流( A)
20
V
GS
=2.5V
12
15
V
GS
=4.5V
10
8
4
2V
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏源电压( V)
I
D
- 漏电流( A)
传输特性
20
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
栅极阈值电压
I
DS
=250
Α
16
12
8
T
j
=125 C
o
o
4
T
j
=-55 C
T
j
=25 C
o
0
0.0
归一化阈值电压
4.0
I
D
- 漏电流( A)
0.5
1.0
1.5
2.0 2.5
3.0 3.5
0.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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