【APM9932/C双通道增强型MOSFET （N和P通道）特点N沟道20V / 15A ，RDS （】,IC型号APM9932/CKC-TR,APM9932/CKC-TR PDF资料,APM9932/CKC-TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM9932/C

双通道增强型MOSFET （N和P通道）

特点

N沟道

20V / 15A ，R

DS （ ON）

= 12mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 17mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

引脚说明

APM9932

S1

G1

S2

G2

1

2

3

4

8

7

6

5

D1

D1

D2

D2

S1

G1

S2

G2

APM9932C

1

2

3

4

8

7

6

5

D

D

D

D

P沟道

-20V / -6A ，R

DS （ ON）

= 30mΩ到（典型值） @ V

GS

=-4.5V

R

DS （ ON）

= 45mΩ （典型值） @ V

GS

=-2.5V

SO-8

D1

D1

SO-8

D

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

SO- 8封装

G1

G1

G2

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统。

G2

S1

S1

S2

N沟道MOSFET

S2

N和P沟道

MOSFET

D2

D2

P沟道MOSFET

订购和标识信息

APM9932/C

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

封装代码

K： SO - 8

工作结点温度。范围

C： -55 150

°

C

处理代码

TR ：带卷&

APM9932 / C K：

APM9932/C

XXXXX

XXXXX - 日期代码

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

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版权

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1

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APM9932/C

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D*

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

参数

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

T

A

=25°C

最大功率耗散

最高结温

存储温度范围

热阻 - 结到环境

T

A

=100°C

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

N沟道

20

±16

15

30

2.5

1.0

150

-55到150

50

P沟道

-20

±12

-6

-10

2.5

W

1.0

°C

°C

° C / W

A

V

单位

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM9932/C

分钟。

N沟道

20

-20

1

-1

0.6

-0.6

1.3

-1.3

±100

±100

12

17

P沟道

N沟道

P沟道

0.6

-0.6

30

45

18

27

42

60

1.3

-1.3

V

m

nA

典型值。马克斯。

测试条件

单位

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=18V , V

GS

=0V

V

DS

=-18V , V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

DS

=V

GS

, I

DS

=-250A

V

GS

=±16V , V

DS

=0V

V

GS

=±12V , V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=9A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=7A

V

GS

= -4.5V ，我

DS

=-6A

V

GS

= -2.5V ，我

DS

=-5A

I

SD

= 5A ，V

GS

=0V

I

SD

= -2A ，V

GS

=0V

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

V

A

V

栅极漏电流

R

DS （ ON）

a

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

SD

a

二极管的正向电压

笔记

a

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

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APM9932/C

电气特性（续）

符号

动态

a

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

总栅极电荷

N沟道

V

DS

= 10V ，我

DS

= 6A

栅极 - 源电荷

V

GS

=4.5V

P沟道

V

DS

= -4V ，我

DS

=-1A

V

GS

=-4.5V

N沟道

V

DD

= 10V ，我

DS

=1A ,

T

r

开启上升时间

V

根

= 4.5V ，R

G

=10

P沟道

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

打开-O FF延迟时间

V

DD

= -4V ，我

DS

=-1A ,

V

根

= -4.5V ，R

G

=10

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

N沟道

V

GS

=0V , V

DS

=15V

Frequency=1.0MHz

P沟道

V

GS

=0V , V

DS

=-4V

Frequency=1.0MHz

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

14

19

5

4.1

2.8

1.6

6

23

5

45

16

45

5

32

1225

1400

330

520

220

320

pF

12

45

10

80

40

90

20

55

ns

22

25

nC

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM9932/C

分钟。

典型值。马克斯。

测试条件

单位

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

笔记

a

：由设计保证，不受生产测试

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APM9932/C

典型特征

N沟道

输出特性

20

V

GS

=3,4,5,6,7,8,9,10V

传输特性

20

I

D

- 漏电流（A ）

I

D-

漏电流（ A）

16

V

GS

=2.5V

15

12

10

8

V

GS

=2V

T

J

=125°C

5

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

4

0

0

2

4

6

8

10

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

I

DS

=250uA

导通电阻与漏电流

0.030

V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

1.25

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

0.000

V

GS

=4.5V

V

GS

=10V

-25

0

25

50

75

100 125 150

0

4

8

12

16

20

TJ - 结温（ ° C）

I

D

- 漏电流（ A）

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典型特征（续）

N沟道

导通电阻与栅极至源极电压

0.16

I

D

=15A

导通电阻与结温

2.0

V

GS

=10V

I

D

=15A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

0.14

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100 125

150

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

10

V

DS

=10V

I

D

=6A

电容

1800

Frequency=1MHz

V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

8

1500

电容（pF）

西塞

6

1200

900

600

科斯

4

2

300

CRSS

0

0

5

10

15

20

25

30

0

0

5

10

15

20

Q

G

- 栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

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地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：连

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