【APM9928双通道增强型MOSFET （N和P通道）特点N沟道20V / 5A ，RDS （ ON】,IC型号APM9928K,APM9928K PDF资料,APM9928K经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM9928

双通道增强型MOSFET （N和P通道）

特点

N沟道

20V / 5A ，

R

DS （ ON）

= 35mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

R

DS （ ON）

= 50mΩ以下（典型值） @ V

GS

=3.0V

P沟道

-20V / -3.2A ，R

DS （ ON）

= 80mΩ （典型值） @ V

GS

=-4.5V

R

DS （ ON）

= 120MΩ （典型值） @ V

GS

=-3.0V

极低超级高密度电池设计

R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

SO- 8封装

引脚说明

5

/

5

/

!

＆ QUOT ;

＆放大器;

%

$

#

,

,

,

,

SO-8

,

,

5

/

/

应用

5

,

,

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统。

N沟道MOSFET

P沟道MOSFET

订购和标识信息

APM9928

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

封装代码

K： SO - 8

工作结点温度。范围

C： -55 150

°

C

处理代码

TR ：带卷&

APM9928 K：

APM9928

XXXXX

XXXXX - 日期代码

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

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版权

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1

www.anpec.com.tw

APM9928

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D*

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

参数

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

最大功率耗散

最高结温

存储温度范围

热阻 - 结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

N沟道

20

±16

5

10

2.5

1.0

150

-55到150

50

P沟道

-20

±16

3.2

-10

2.5

1.0

单位

V

A

W

°C

°C

° C / W

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM9928

分钟。

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

35

50

80

120

0.8

-0.8

0.7

-0.7

0.9

-0.9

20

-20

1

-1

1.5

-1.5

±100

±100

45

60

100

150

1.3

-1.3

V

m

典型值。马克斯。

测试条件

单位

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=16V , V

GS

=0V

V

DS

=-16V , V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

DS

=V

GS

, I

DS

=-250A

V

GS

=±16V , V

DS

=0V

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=5.0A

V

A

V

nA

R

DS （ ON）

=

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 3.0V ，我

DS

=3.9A

V

GS

= -4.5V ，我

DS

=-3.2A

V

GS

= -3.0V ，我

DS

=-2.0A

I

SD

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

SD

= -1.8A ，V

GS

=0V

V

SD

=

二极管的正向电压

笔记

a

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

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APM9928

电气特性（续）

符号

动态

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

＆ GT ;

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM9928

单位

分钟。典型值。马克斯。

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

4.7

3.9

0.72

1

0.96

1.4

12

21

8

45

32

36

11

20

376

495

115

130

58

60

pF

24

40

17

83

60

70

22

38

ns

7

6

nC

参数

测试条件

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

N沟道

V

DS

= 10V ，我

DS

= 1A

V

GS

=4.5V

P沟道

V

DS

= -10V ，我

DS

=-1A

V

GS

=-4.5V

N沟道

V

DD

= 10V ，我

DS

=1A ,

V

根

= 4.5V ，R

G

=10

P沟道

V

DD

= -10V ，我

DS

=-1A ,

V

根

= -4.5V ，R

G

=10

V

GS

=0V

输出电容

反向传输电容

V

DS

=15V

Frequency=1.0MHz

笔记

b

：由设计保证，不受生产测试

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APM9928

典型特征

N沟道

输出特性

20

传输特性

20

V

GS

=4,5,6,7,8,9,10V

V

GS

=3V

I

D

- 漏电流（A ）

15

10

V

GS

=2.5V

I

D-

漏电流（ A）

15

T

J

=125°C

5

V

GS

=2V

V

GS

=1.5V

5

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

0

0

1

2

3

4

5

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

导通电阻与漏电流

0.07

I

DS

=250uA

V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

V

GS

=4.5V

V

GS

=10V

-25

0

25

50

75

100 125 150

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

TJ - 结温（ ° C）

I

D

- 漏电流（ A）

版权

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10

APM9928

典型特征（续）

N沟道

导通电阻与栅极至源极电压

0.10

0.09

导通电阻与结温

1.8

I

D

=5A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-50

V

GS

=4.5V

I

D

=5A

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

-25

0

25

50

75

100

125

150

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

5

600

V

,5

=10 V

I

,5

= 1 A

500

电容

V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

Frequency=1MHz

4

电容（pF）

3

400

300

200

西塞

2

1

科斯

100

0

1

2

3

4

5

0

CRSS

0

0

5

10

15

20

Q

G

- 栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

版权

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

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