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APM9926AK
双N沟道增强型MOSFET
特点
20V/6A,
R
DS （ ON）
= 28mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 34mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
S1
G1
S2
G2
SOP的顶视图
8
(8)
D1
(7)
D1
(6)
D2
(5)
D2
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
(2)
G1
(4)
G2
S1
(1)
S2
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM9926A
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM9926A K：
APM9926A
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM9926AK
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±10
6
V
GS
=4.5V
20
1.7
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2
0.8
62.5
W
° C / W
V
A
A
°C
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9926AK
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=5.2A
I
SD
= 1.7A ，V
GS
=0V
20
1
30
0.5
0.7
28
34
0.7
1.5
±100
32
45
1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
10
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=6A
3.6
2
13
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM9926AK
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9926AK
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
9
520
110
70
17
32
28
82
46
15
45
25
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=4.5V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
3
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APM9926AK
典型特征
功耗
2.5
7
6
2.0
5
4
3
2
1
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
漏电流
1.5
1.0
0.5
T
A
= 25℃ ，V
G
=4.5V
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
50
2
1
瞬态热阻抗
it
I
D
- 漏电流（ A）
on
)L
10
im
300
s
1ms
10ms
占空比= 0.5
0.2
0.1
Rd
s(
0.1
0.05
0.02
0.01
1
100ms
1s
0.1
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
DC
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
o
1
10
100
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM9926AK
典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
= 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
60
55
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
1V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
V
GS
=10V
V
GS
= 4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
0.5V
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
栅极阈值电压
1.6
I
DS
=250
A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
16
12
8
T
j
=25 C
4
T
j
=-55 C
T
j
=125 C
o
o
o
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
归一化阈值电压
I
D
- 漏电流（ A）
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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茂达电子股份有限公司
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