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APM9435K
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -4.6A ，
R
DS （ ON）
= 52mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 80mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
SOP的顶视图
8
( 1, 2, 3 )
S S S
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
(4)
G
D DDD
(5,6,7,8)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM9435
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM9435 K：
APM9435
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
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APM9435K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±25
V
GS
=-10V
-4.6
-20
-2
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2
0.8
62.5
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9435K
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
A
=25°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ，我
DS
=-4.6A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-2A
I
SD
= -2A ，V
GS
=0V
-30
-1
-30
-1
-1.5
52
80
-0.9
-2
±100
60
95
-1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
22.5
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-4.6A
4.5
2
29
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
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2
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APM9435K
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9435K
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
11.7
845
120
80
8
17
18
60
28
8
35
11
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -15V ，R
L
=15,
I
DS
= -1A ，V
根
=-10V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
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3
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APM9435K
典型特征
功耗
2.5
6
漏电流
2.0
5
-I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
4
1.5
3
1.0
2
0.5
o
1
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
A
= 25℃ ，V
G
=-10V
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
0.0
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
-I
D
- 漏电流（ A）
Rd
s(
on
)L
10
im
it
300
s
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.01
单脉冲
0.1
DC
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
o
1
10
100
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
= -5, -6, -7, -8, -9, -10V
-4V
140
130
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-3V
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
18
1.4
16
1.6
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化阈值电压
5
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
T
j
=25 C
o
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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AQ010001
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封装
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操作
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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APM9435K
APM
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SOP-8
原装现货上海库存，欢迎咨询
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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APM
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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APM
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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