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APM9424K
N沟道增强型MOSFET
特点
20V/10A,
R
DS （ ON）
=为10mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 15MΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
SOP的顶视图
8
( 5,6,7,8 )
D D DD
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
(4)
G
S S S
(1, 2, 3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM9424
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM9424 K：
APM9424
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
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APM9424K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±16
V
GS
=4.5V
10
40
2.3
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2
0.8
62.5
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM9424K
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=10A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=8A
I
SD
= 2.3A ，V
GS
=0V
20
1
30
0.7
0.9
10
15
0.8
1.5
±100
13
20
1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
28.2
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=10A
5.2
7.6
37
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
2
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APM9424K
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM9424K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
2.1
2400
720
480
35
70
160
235
85
80
115
40
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=4.5V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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3
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APM9424K
典型特征
功耗
2.5
12
漏电流
2.0
10
P
合计
- 功率（W ）
I
D
- 漏电流（ A）
8
1.5
6
1.0
4
0.5
o
2
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
A
= 25℃ ，V
G
=4.5V
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
0.0
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
it
瞬态热阻抗
2
1
占空比= 0.5
0.2
Rd
10
s(
on
)L
im
1ms
I
D
- 漏电流（ A）
10ms
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
1
100ms
1s
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
0.1
DC
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
o
1
10
100
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM9424K
典型特征（续）
输出特性
30
V
GS
= 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
25
20
V
GS
=2.5V
15
I
D
- 漏电流（ A）
20
15
2V
10
10
V
GS
=4.5V
5
1.5V
0
5
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
30
1.8
栅极阈值电压
I
DS
=250
Α
1.6
归一化阈值电压
25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
D
- 漏电流（ A）
20
T
j
=125 C
o
15
10
T
j
=25 C
T
j
=-55 C
o
o
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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电话：755-83210909 / 83616256
联系人：夏先生
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
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