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APM7314
N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 6A ，R
DS （ ON）
= 21mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 32mΩ （典型值） @ V
GS
=5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
SO-8
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
顶视图
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
D1 D1
D2 D2
G1
G2
S1
S2
N沟道MOSFET N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM7314
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SO - 8
TEMP 。 RANGE
C： 070
°
C
处理代码
TR ：带卷&
APM7314 K：
APM7314
XXXXX
XXXXX - 日期代码
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 年3月， 2002年
1
www.anpec.com.tw
APM7314
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
P
D
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
30
±20
6
24
1.6
0.625
150
-55到150
80
W
W
°C
°C
° C / W
A
单位
V
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM7314
分钟。
30
1
5
1
21
32
0.6
3
±100
24
35
1.1
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V , V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
= 0V ，T
j
= 55°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=3.5A
V
GS
= 5V ，我
DS
=2A
I
SD
= 2A ，V
GS
=0V
V
A
V
nA
m
V
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 年3月， 2002年
2
www.anpec.com.tw
APM7314
电气特性续。
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM7314
分钟。
典型值。
15
5.8
3.8
11
18
26
54
30
pF
ns
马克斯。
20
nC
测试条件
V
DS
= 15V ，我
DS
= 10A
V
GS
=5V ,
单位
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
V
DD
= 15V ，我
DS
=2A ,
V
根
= 10V ，R
G
=6
V
GS
=0V
V
DS
=15V
17
37
20
1200
220
100
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
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3
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APM7314
典型特征
输出特性
30
40
传输特性
V
DS
=10V
25
V
GS
=4,4.5,6,8,10V
I
DS
- 漏电流（A ）
20
I
DS
- 漏电流（A ）
30
15
V
GS
=3.5V
20
T
J
=25°C
10
V
GS
=3V
5
10
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
V
GS
=2.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
-Gate至源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.2
导通电阻与漏电流
0.050
I
DS
=250A
0.045
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
V
GS （ TH）
-Variance （ V）
1.0
V
GS
=4.5V
0.8
V
GS
=10V
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0
5
10
15
20
25
30
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
DS
- 漏电流（A ）
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM7314
典型特征连拍。
导通电阻与栅极至源极电压
0.050
0.045
上Resistaence与结温
R
DS （ ON）
-on电阻（Ω） （归一化）
1.6
I
DS
=3.5A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
=10V
I
DS
=3.5A
1.4
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
栅极电压（ V）
T
j
-Junction温度（℃ ）
栅极电荷
10
2000
电容特性
V
GS
-Gate至源极电压（ V）
V
DS
=15V
I
DS
=10A
8
1000
西塞
C-电容（pF ）
6
500
科斯
4
2
100
CRSS
Frequency=1MHz
0
0
5
10
15
20
25
30
0.1
1
10
30
Q
G
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
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5
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