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APM7313K
双N沟道增强型MOSFET
特点
30V/6A,
R
DS ( ON)
= 21mΩ (典型值) @ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 27mΩ (典型值) @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
(8)
D1
SOP的顶视图
8
(7)
D1
(6)
D2
(5)
D2
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
(2)
G1
(4)
G2
S1
(1)
S2
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM7313
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K: SOP - 8
工作结点温度。范围
C: -55 150
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM7313 K:
APM7313
XXXXX
无德: ANPEC乐 - 免费的广告机生产线克拉大骗子纳米OL喧嚣克COM POU次S / D即附加材料s和10 0 % MA TTE INP拉忒
TE RMIN ATIO 科幻光洁度; Wh是ICH是满Y并发症iant用RO HS和COMPA tibl 无线个既锡的乐无广告出售ieri NG
运时代蒂奥纳秒。 AN PEC乐无广告的生产线中旅等我或超过日埃尔EAD - 免费REQ uireme的IPC / JEDEC J STD -02 0C NTS
FO MSL分类ficati上的LEA D- FRE EP EAK重FLO瓦特临时时代真实存在。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
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牧师B.3 - 11月2005年
1
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APM7313K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
2
垫区域,叔
10sec.
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=10V
等级
30
±20
6
24
3
150
-55到150
2
0.8
62.5
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
a
a
参数
测试条件
APM7313K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
V
GS
= 0V时,我
DS
=250A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
A
=25°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
S
=6A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=2A
I
SD
= 2A ,V
GS
=0V
30
1
30
1
1.5
21
27
0.7
2
±100
28
42
1.3
V
A
V
nA
m
V
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
19
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=6A
1.6
3.6
25
nC
栅极 - 源电荷
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2
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APM7313K
电气特性(续)
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM7313K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
注意事项:
V
GS
=0V,V
S
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
2.1
835
150
105
7
13
15
40
9
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15V ,R
L
=15,
I
DS
= 1A ,V
=10V,
R
G
=6
8
28
6
ns
一:脉冲测试;脉冲width≤300
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
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3
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APM7313K
典型特征
功耗
2.5
8
漏Curre新台币
2.0
1.5
I
D
- 漏电流( A)
o
6
P
合计
- 功率(W )
4
1.0
2
0.5
o
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
T
A
= 25℃ ,V
G
=10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
0.2
I
D
- 漏电流( A)
LIM
it
10
Rd
S(O
n)
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
1
100ms
1s
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 62.5 C / W
2
0.1
DC
T = 25℃
0.01
A
0.01
0.1
o
1
10
100
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
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APM7313K
典型特征(续)
输出特性
30
V
GS
= 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
3.5V
40
36
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
25
32
28
24
V
GS
= 10V
20
16
12
V
GS
= 4.5V
I
D
- 漏电流( A)
20
15
3V
10
5
2.5V
0
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
24
V
DS
- 汲极源程序é电压(V )
I
D
- 漏电流( A)
传输特性
30
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
栅极阈值电压
I
DS
= 250
Α
20
15
T
j
=125 C
10
T
j
=25 C
5
o
o
T
j
=-55 C
o
0
归一化阈值电压
5
25
I
D
- 漏电流( A)
0
1
2
3
4
0.00
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APM7313K
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82778126
联系人:曾先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋317室 ★★诚信经营★★
APM7313K
ANPEC
21+
16800
SOP8
★★一级分销商,正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
APM7313K
Anpec
08+PBF
2493
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
APM7313K
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8646
贴◆插
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
10275
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