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APM7313
双N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 6A ，R
DS （ ON）
= 21mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 27mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
SO-8
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
顶视图
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
G1
D1
D1
D2
D2
G2
S1
S2
N沟道MOSFET N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 7313
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
K： S 0 -8
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
APM 7313 K：
APM 7313
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
30
±20
V
单位
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM7313
绝对最大额定值（续）
符号
I
D*
I
DM
P
D
参数
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
6
24
2.5
1.0
150
-55到150
50
A
W
W
°C
°C
° C / W
单位
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM7313
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=3.5A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=2A
I
SD
= 2A ，V
GS
=0V
V
DS
= 15V ，我
DS
= 10A
V
GS
=10V
30
1
1
1.5
21
27
0.7
30
5.8
3.8
11
22
33
68
38
2
±100
28
42
1.3
36
V
A
V
nA
m
V
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
nC
V
DD
= 15V ，我
DS
=2A ,
V
根
= 10V ，R
G
=6
V
GS
=0V
V
DS
=25V
17
37
20
1200
210
95
ns
pF
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
2
www.anpec.com.tw
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月， 2003
APM7313
典型特征
输出特性
30
40
传输特性
25
V
GS
=4,4.5,6,8,10V
I
DS
- 漏电流（A ）
20
I
DS
- 漏电流（A ）
30
15
V
GS
=3.5V
20
T
J
=25°C
10
V
GS
=3V
5
10
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
V
GS
=2.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
-Gate至源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.2
导通电阻与漏电流
0.050
I
DS
=250A
V
GS （ TH）
-threshold电压（V ）
（归一化）
0.045
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.0
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
V
GS
=4.5V
0.8
V
GS
=10V
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0
5
10
15
20
25
30
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
DS
- 漏电流（A ）
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月， 2003
3
www.anpec.com.tw
APM7313
典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.050
0.045
上Resistaence与结温
R
DS （ ON）
-on电阻（Ω） （归一化）
1.6
I
DS
=3.5A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
=10V
I
DS
=3.5A
1.4
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
3
4
5
6
7
8
9
10
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
栅极电压（ V）
T
j
-Junction温度（℃ ）
栅极电荷
10
2000
电容特性
V
GS
-Gate至源极电压（ V）
V
DS
= 1 5 V
I
DS
= 1 0 A
8
1000
西塞
C-电容（pF ）
500
6
科斯
4
2
100
CRSS
Frequency=1MHz
0
0
5
10
15
20
25
30
0.1
1
10
30
Q
G
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月， 2003
4
www.anpec.com.tw
APM7313
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
单脉冲功率
80
I
SD
- 源电流（A ）
60
功率（W）的
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
10
40
1
20
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0.01
0.1
1
10
V
SD
- 源漏极电压
时间（秒）
归瞬态热阻抗瞬态，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
1.占空比D = T1 / T2
2.每单位基础= R
thJA
=50°C/W
3. T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表层嵌
D=0.02
单身
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月， 2003
5
www.anpec.com.tw
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推荐型号
AN929
AZ761-1C-18DS
ADP3339AKC-18
ADM6339JARJZ-RL7
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A6SN-5104-P
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AP7365-28YRG-13
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A6285
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    APM7313
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APM7313
ANPEC
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电话：0755-82561519
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APM7313
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APM7313
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APM7313
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APM7313
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