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APM4953
双P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -4.9A ，R
DS （ ON）
= 53mΩ （典型值） @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 80mΩ （典型值） @ V
GS
= -4.5V
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
5
/
5
/

＆放大器;
%
,
,
,
,
!
＆ QUOT ;
$
#
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
/
SO
8
5
5
/
,
,
,
,
订购和标识信息
APM 4953
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
P沟道MOSFET
P ackage 颂歌
K： S 0 -8
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
一个P M 4953克：
一个P M 4953
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±25
T
A
= 25°C
-4.9
-30
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM4953
绝对最大额定值（续）
符号
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
单位
W
°C
° C / W
参数
最大功率耗散
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
2.5
1.0
150
-55到150
50
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
=
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM4953
=
典型值。马克斯。
分钟。
-30
-1
-1
-1.5
53
80
-0.7
22.3
4.65
2
10
15
22
15
1260
340
220
18
20
38
25
pF
ns
-2
±100
60
95
-1.3
29
nC
参数
测试条件
单位
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
＆ GT ;
＆ GT ;
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±25V , V
DS
=0V
V
GS
= -10V ，我
DS
=-4.9A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-3.6A
I
SD
= -1.7A ，V
GS
=0V
V
DS
= -15V ，我
GS
=-10V
l
D
=-4.6A
V
DD
= -15V ，我
D
=-2A ,
V
根
= -10V ，R
G
=6
R
L
=7.5
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
V
A
V
nA
m
V
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容频率= 1.0MHz的

 
笔记
a

b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
2
www.anpec.com.tw
APM4953
典型特征
输出特性
30
25

传输特性
30

-V
/5
= 5,6,7,8,9,10V
-I
D
- 漏电流（A ）
25
20
15
-I
D-
漏电流（ A）
-V
/5
=4V
20
15
T
J
=125°C

10
5
0
-V
/5
=3V
-V
/5
=2V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50

导通电阻与漏电流
0.14

-I
DS
=250A
-V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）

R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
3
6
9
12
15
V
/5
=-4.5V
V
/5
=-10V
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ - 结温（ ° C）

-I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
3
www.anpec.com.tw

APM4953
典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.250

导通电阻与结温
2.00

R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）

0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）

0.225
-I
,
= 4.9A
1.75
1.50
1.25
-V
GS
=10V
-I
D
=4.9A

0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）


T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
电容
2800
2400

-V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
-V
D
=10V
-I
D
=4.9A
Frequency=1MHz
8
6
电容（pF）
2000
1600
1200
800
400
西塞
4
2
科斯
CRSS

0
0

5
10
15
20
25
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
4
www.anpec.com.tw


1.00
APM4953
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
10

单脉冲功率
50

-I
S
- 源电流（ Α ）
40
功率（W）的
30
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C

20
10
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
0.01
0.1
1
10
100
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2

标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D= 0.2
D= 0.1
0.1
D= 0.05
D= 0.02
单脉冲
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表面安装
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
5
www.anpec.com.tw


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AZ743-2C-18DE
ADE-12MH+
AM9590-15LC
AM29LV320DT90WMI
AM29BDD160GB66CKK
AT24RF08BN-10SC
A9060-31
供货商
型号
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数量
封装
单价/备注
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    APM4953
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