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APM4925K
双P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -6.1A ，
R
DS （ ON）
= 24mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 30mΩ到（典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
S1
G1
S2
G2
SOP的顶视图
8
(1)
S1
(3)
S2
应用
(2)
G1
(4)
G2
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
D1
(7)
D1
(8)
D2
(5)
D2
(6)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 4925
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SO P- 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM 4925 K：
APM 4925
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM4925K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=-10V
等级
-30
±25
-6.1
-24
-1.7
150
-55到150
2
0.8
62.5
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4925K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ，我
DS
=-6.1A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-5.1A
I
SD
= -1.7A ，V
GS
=0V
-30
-1
-30
-1
-1.5
24
30
-0.7
-2
±100
27
35
-1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
48
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-6.1A
10
9
58
nC
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
2
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APM4925K
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4925K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
10
3200
580
250
17
33
35
128
56
pF
V
DD
= -15V ，R
L
=15,
I
DS
= -1A ，V
根
=-10V,
R
G
=6
18
70
30
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
3
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APM4925K
典型特征
功耗
2.5
8
漏电流
2.0
1.5
-I
D -
漏电流（ A）
6
P
合计
- 功率（W ）
4
1.0
2
0.5
o
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
0
T
A
= 25℃ ，V
G
=-10V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
-I
D
- 漏电流（ A）
ds
10
n)
L
im
占空比= 0.5
it
1ms
(o
R
0.2
10ms
0.1
0.05
0.02
0.1
1
100ms
1s
0.01
0.01
0.1
DC
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
o
单脉冲
1
10
100
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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APM4925K
典型特征（续）
输出特性
24
V
GS
= -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
漏源导通电阻
40
36
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
20
32
28
24
V
GS
= -10V
20
16
12
V
GS
= -4.5V
-I
D
- 漏电流（ A）
16
-3V
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
24
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
24
1.75
栅极阈值电压
I
DS
= -250
Α
归一化的阈值Vlotage
20
1.50
-I
D
- 漏电流（ A）
16
1.25
12
1.00
8
T
j
=125 C
o
o
0.75
4
T
j
=25 C
T
j
=-55 C
o
0.50
0
0
1
2
3
4
5
0.25
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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