【APM4835P沟道增强型MOSFET特点-30V / -8A ，RDS （ ON）= 16mΩ （】,IC型号APM4835,APM4835 PDF资料,APM4835经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM4835

P沟道增强型MOSFET

特点

-30V / -8A ，R

DS （ ON）

= 16mΩ （典型值） @ V

GS

= -10V

R

DS （ ON）

= 24mΩ （典型值） @ V

GS

= -4.5V

超高密度电池设计

可靠，坚固耐用

SO- 8封装

引脚说明

S

S

S

G

1

2

3

4

8

7

6

5

D

D

D

D

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统

G

SO

8

S

S S

订购和标识信息

APM 4835

H A N D林克C 0 D E

TEM页。法兰

P ackage 颂歌

D D D D

P沟道MOSFET

P ackage 颂歌

K： S 0 -8

P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é

C： -5 5月5日至一日0 ℃，

H A N D林克C 0 D E

TU ：管

TR ：带卷&

APM 4835

APM 4835

XXXXX

X X X X X - D上TE C 0 D E

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D*

I

DM

漏源电压

栅源电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

-30

±25

T

A

= 25°C

-8

-50

单位

V

A

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

A.2版本 - 二月， 2003

1

www.anpec.com.tw

APM4835

绝对最大额定值（续）

符号

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

参数

最大功率耗散

最高结温

存储温度范围

热阻 - 结到环境

T

A

= 25°C

T

A

= 100°C

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

2.5

1

150

-55到150

50

°C

° C / W

单位

W

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

动态

a

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

笔记

a

b

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM4835

单位

分钟。典型值

a

.

马克斯。

-30

-1

-1

-1.5

-2

±100

16

24

-0.7

48

V

DS

= -15V, V

GS

= -10V,

I

D

= -4.6A

10

9

16

V

DD

= -25V ，我

D

= -2A,

V

根

= -10V ，R

G

=6

R

L

=12.5

V

GS

=0V, V

DS

=-25V

频率= 1.0MHz的

17

75

31

3800

590

250

pF

30

30

120

80

ns

19

30

-1.3

60

nC

V

V

A

V

nA

m

参数

测试条件

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

二极管的正向电压

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

b

b

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

V

DS

= -30V, V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

= -250A

V

GS

=

±25V

, V

DS

=0V

V

GS

= -10V ，我

D

= -8A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -5A

I

SD

= -3A ，V

GS

=0V

：由设计保证，不受生产测试

：脉冲测试;脉冲宽度

≤

为500μs ，占空比

≤

2%

版权

茂达电子股份有限公司

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2

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APM4835

典型特征

输出特性

50

-V

GS

=4,5,6,7,8,9,10V

传输特性

50

-I

D

- 漏电流（A ）

30

-I

D-

漏电流（ A）

40

40

30

T

J

=125°C

20

-V

GS

=3V

20

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

10

10

0

0

2

4

6

8

10

0

0

1

2

3

4

5

-V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

-I

DS

=250A

导通电阻与漏电流

0.05

-V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

1.25

0.04

-V

GS

=4.5V

0.03

1.00

0.02

-V

GS

=10V

0.75

0.01

0.50

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

0.00

0

10

20

30

40

50

TJ - 结温（ ° C）

-I

D

- 漏电流（ A）

版权

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3

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APM4835

典型特征（续）

导通电阻与栅极至源极电压

0.07

-I

D

=8A

导通电阻与结温

1.8

-V

GS

=10V

-I

D

=8A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

0

2

4

6

8

10

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

10

4500

-V

DS

=15V

-I

D

=4.6A

电容

Frequency=1MHz

-V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

8

3600

电容（pF）

西塞

6

2700

4

1800

2

900

科斯

CRSS

0

0

0

10

20

30

40

50

0

6

12

18

24

30

Q

G

- 栅极电荷（ NC）

-V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

版权

茂达电子股份有限公司

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4

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APM4835

典型特征（续）

源极 - 漏极二极管正向电压

30

单脉冲功率

100

-I

S

- 源电流（ Α ）

10

80

功率（W）的

1.2

1.4

60

T

J

=150°C

T

J

=25°C

1

40

20

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

0.01

0.1

1

10

-V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

D= 0.2

D= 0.1

0.1

D= 0.05

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=50°C/W

3.T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

4.表面安装

D= 0.02

单脉冲

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10

方波脉冲持续时间（秒）

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5

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

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AP

2443+

23000

SOP8

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北京上用科技有限公司

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

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