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APM4804K
N沟道增强型MOSFET
特点
30V/8A,
R
DS （ ON）
= 17mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 22MΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
SOP
8
DD D D
应用
G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S S S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4804
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SO P- 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4804 K：
APM4804
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
1
www.anpec.com.tw
APM4804K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
参数
漏源电压
栅源电压
继续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=10V
等级
30
±16
8
30
4
150
-55到150
2
0.8
62.5
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM4804K
分钟。
30
1
30
0.6
1
17
22
0.8
713
142
120
1.5
pF
1.5
±100
22
28
1.3
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=8A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=5.6A
I
SD
= 4A ，V
GS
=0V
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
2
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APM4804K
电气特性（续）
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4804K
分钟。
典型值。
3
马克斯。
6
32
44
30
20
单位
动态特性
b
t
D（上）
导通延迟时间
T
r
t
D（关闭）
T
f
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
b
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
17
24
16
15.7
ns
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
注意事项：
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=8A
1.9
2.2
nC
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
3
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APM4804K
典型特征
o
T
A
=25 C
功耗
10
漏电流
2.5
8
2.0
P
合计
- 功率（W ）
I
D
- 漏电流（ A）
1.5
6
1.0
4
0.5
2
o
0.0
T
A
=25 C
o
T
A
= 25℃ ，V
G
=10V
0
40
60
80
100 120 140 160
0
20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
)L
im
it
占空比= 0.5
0.2
0.1
I
D
-
漏电流（ A）
Rd
10
s(
on
300
s
1ms
0.1
0.02
0.01
0.05
1
10ms
100ms
0.1
1s
DC
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
0.01
0.01
T
A
=25 C
o
0.1
1
10
100
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏源电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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启示录B.2 - 三月， 2005
4
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APM4804K
典型特征（续）
输出特性
30
27
24
V
GS
= 3,4,5,6,7,8,9,10V
28
30
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
26
24
V
GS
=4.5V
22
20
18
16
14
12
V
GS
=10V
I
D
- 漏电流（ A）
21
18
15
12
9
2.5V
2V
6
3
1.5V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
30
1.4
栅极阈值电压
I
DS
=250
A
25
归一化阈值电压
T
j
=-55 C
o
1.2
I
D
- 漏电流（ A）
20
1.0
15
0.8
10
T
j
=125 C
5
T
j
=25 C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
o
o
0.6
2.5
3.0
3.5
0.4
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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