APM4548K
双通道增强型MOSFET （N和P通道）
特点
N沟道
30V/7A,
R
DS （ ON）
= 18MΩ （典型值） @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 23mΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
P沟道
-30V/-6A,
R
DS （ ON）
= 32mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 42mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
SOP的顶视图
8
(8)
D1
(7)
D1
(3)
S2
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
(2)
G1
(4)
G2
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S1
(1)
D2
(5)
D2
(6)
N沟道MOSFET P通道MOSFET
订购和标识信息
APM4548
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4548 K：
APM4548
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类，在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 2005年9月
1
www.anpec.com.tw
APM4548K
电气特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
测试条件
APM4548K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
二极管的特性
V
SD一
二极管的正向电压
I
SD
= 2A ，V
GS
=0V
I
SD
= -2.3A ，V
GS
=0V
N沟道
P沟道
0.8
-0.8
1.3
-1.3
V
动态特性
b
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
N沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
P沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
N沟道
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
P沟道
V
DD
= -15V ，R
L
=15,
I
DS
= -1A ，V
根
=-10V,
R
G
=6
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
2.5
11
960
980
180
155
100
120
7
7
9
10
34
38
12
14
5
nC
3
14
14
17
20
62
70
23
26
ns
pF
关断下降时间
Q
rr
N沟道
I = 7A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
反向恢复电荷
SD
P沟道
I
SD
= -6A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
栅极电荷特性
b
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
一：脉冲测试;脉冲width≤300μs ，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=7A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-6A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
19
24
2
2
3.6
3.7
25
30
nC
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 2005年9月
3
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